| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2016-09-16 11:05
SiCパワーモジュールの基板配線パターン設計に向けた近傍磁界強度測定による電流分布の評価 ○増田瑛介・井渕貴章・舟木 剛(阪大)・大嶽浩隆・宮崎達也・金武康雄・中村 孝(ローム) EMCJ2016-50 |
| 抄録 |
(和) |
電力変換回路のさらなる低損失化に向けて、次世代パワー半導体デバイスを用いたスイッチング速度の高速化が検討されている。しかし、高速スイッチング動作は回路配線の寄生インダクタンスとの相互作用によってサージの発生を招き、回路から生じるEMI(Electro-Magnetic Interference)ノイズの一要因となる。サージやEMIノイズの低減を図るためには、回路や素子の寄生成分を定量的に評価し、それらを低減させるモジュール設計が必要である。本検討では、SiCパワーモジュールの内部配線構造に起因する寄生インダクタンスのモデル化を部分要素等価回路法に基づき試みた。さらに、PCB(Printed-Circuit Board)を用いて模擬したモジュール配線の近傍磁界強度測定による電流分布の評価をもとにモデルの妥当性を検証し、SiCパワーモジュールの基板配線パターンの最適設計に向けた検討結果を示す。 |
| (英) |
Fast switching operation of wide-bandgap power semiconductor devices is expected to reduce the switching losses in a power converter. However, large di/dt and dv/dt also lead to EMI(Electro-Magnetic Interference) noise by interacting with circuit parasitic component. This report studies extraction of interconnect parasitic inductance in a SiC power module using Partial Element Equivalent Circuit method, and identifies the model validation with magnetic near-field intensity measurement for PCB(Printed-Circuit Board). This report also discusses the current distribution on a PCB based on magnetic near-field intensity measurement to study the optimized wiring pattern design of SiC power module. |
| キーワード |
(和) |
SiCパワーモジュール / 寄生インダクタンス / 部分要素等価回路法 / 磁界強度 / 電流分布 / / / |
| (英) |
SiC power module / parasitic inductance / Partial Element Equivalent Circuit method / magnetic intensity / current distribution / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 116, no. 223, EMCJ2016-50, pp. 1-6, 2016年9月. |
| 資料番号 |
EMCJ2016-50 |
| 発行日 |
2016-09-09 (EMCJ) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
EMCJ2016-50 |
| 研究会情報 |
| 研究会 |
EMCJ |
| 開催期間 |
2016-09-16 - 2016-09-16 |
| 開催地(和) |
兵庫県立大学 |
| 開催地(英) |
University of Hyogo |
| テーマ(和) |
吸収体・シールド,EMC一般 |
| テーマ(英) |
Absorber, Shield, EMC |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
EMCJ |
| 会議コード |
2016-09-EMCJ |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル(和) |
SiCパワーモジュールの基板配線パターン設計に向けた近傍磁界強度測定による電流分布の評価 |
| サブタイトル(和) |
|
| タイトル(英) |
A current distribution measurement with magnetic near field intensity for designing wiring pattern in a SiC power module |
| サブタイトル(英) |
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| キーワード(1)(和/英) |
SiCパワーモジュール / SiC power module |
| キーワード(2)(和/英) |
寄生インダクタンス / parasitic inductance |
| キーワード(3)(和/英) |
部分要素等価回路法 / Partial Element Equivalent Circuit method |
| キーワード(4)(和/英) |
磁界強度 / magnetic intensity |
| キーワード(5)(和/英) |
電流分布 / current distribution |
| キーワード(6)(和/英) |
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| キーワード(7)(和/英) |
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| キーワード(8)(和/英) |
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| 第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
増田 瑛介 / Eisuke Masuda / マスダ エイスケ |
| 第1著者 所属(和/英) |
大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.) |
| 第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
井渕 貴章 / Takaaki Ibuchi / イブチ タカアキ |
| 第2著者 所属(和/英) |
大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.) |
| 第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
舟木 剛 / Tsuyoshi Funaki / フナキ ツヨシ |
| 第3著者 所属(和/英) |
大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.) |
| 第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
大嶽 浩隆 / Hirotaka Otake / オオタケ ヒロタカ |
| 第4著者 所属(和/英) |
ローム株式会社 (略称: ローム)
ROHM Co., Ltd. (略称: ROHM) |
| 第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
宮崎 達也 / Tatsuya Miyazaki / ミヤザキ タツヤ |
| 第5著者 所属(和/英) |
ローム株式会社 (略称: ローム)
ROHM Co., Ltd. (略称: ROHM) |
| 第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
金武 康雄 / Yasuo Kanetake / カネタケ ヤスオ |
| 第6著者 所属(和/英) |
ローム株式会社 (略称: ローム)
ROHM Co., Ltd. (略称: ROHM) |
| 第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
中村 孝 / Takashi Nakamura / ナカムラ タカシ |
| 第7著者 所属(和/英) |
ローム株式会社 (略称: ローム)
ROHM Co., Ltd. (略称: ROHM) |
| 第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2016-09-16 11:05:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
EMCJ |
| 資料番号 |
EMCJ2016-50 |
| 巻番号(vol) |
vol.116 |
| 号番号(no) |
no.223 |
| ページ範囲 |
pp.1-6 |
| ページ数 |
6 |
| 発行日 |
2016-09-09 (EMCJ) |