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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-10-27 10:25 SiO2上におけるウェットプロセスがペンタセン薄膜形成に与える影響 ○前田康貴・廣木瑞葉・大見俊一郎（東工大）  SDM2016-74 |
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| 抄録 | （和） | フレキシブルデバイスやTFTなどへの応用が期待されている代表的なp型有機半導体のペンタセンは、薄膜の結晶性が下層材料の表面状態に依存することが報告されている。また、低電圧動作化および低消費電力化のためには、Siデバイスと同様にデバイスサイズの微細化が有効である。従来のフォトリソグラフィを有機半導体デバイスに適用する場合はボトムコンタクト型構造を用いるが、ボトムコンタクト型OFETの作製において、ソース/ドレイン電極パターン形成後の絶縁膜表面の特性を制御することが重要となる。今回、ボトムコンタクト電極のウェットエッチングプロセスがペンタセン薄膜の形成に与える影響について評価し、この影響を抑制するプロセスについて検討したので報告する。 |
| （英） | The growth of pentacene thin film, which is well known as p-type organic semiconductor, is sensitive for underneath material and surface roughness. Furthermore, scaling is effective for low-voltage operation and low power consumption of organic devices as well as Si devices. Bottom-contact structure is necessary to be introduced for the scaling and integration of OFETs utilizing conventional photolithography process. Therefore, surface property is important for pentacene film after source/drain electrode patterning. In this paper, we evaluated the effect of bottom contact electrode patterning process on pentacene film and investigated the process to suppress its process damage. | |
| キーワード | （和） | OFET / ペンタセン / 薄膜形成 / 表面モフォロジー / / / / |
| （英） | OFET / pentacene / thin film formation / surface morphology / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 270, SDM2016-74, pp. 31-34, 2016年10月. | |
| 資料番号 | SDM2016-74 | |
| 発行日 | 2016-10-19 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2016-74 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2016-10-26 - 2016-10-27 |
| 開催地（和） | 東北大学未来研 |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2016-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SiO2上におけるウェットプロセスがペンタセン薄膜形成に与える影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Study on Pentacene Film Formation on SiO2 with Wet Process for Bottom-Contact Type OFETs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | OFET / OFET |
| キーワード(2)（和/英） | ペンタセン / pentacene |
| キーワード(3)（和/英） | 薄膜形成 / thin film formation |
| キーワード(4)（和/英） | 表面モフォロジー / surface morphology |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前田 康貴 / Yasutaka Maeda / マエダ ヤスタカ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 廣木 瑞葉 / Mizuha Hiroki / ヒロキ ミズハ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大見 俊一郎 / Shun-ichiro Ohmi / オオミ シュンイチロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-10-27 10:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2016-74 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.270 |
| ページ範囲 | pp.31-34 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-10-19 (SDM) |
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