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講演抄録/キーワード
講演名 2016-11-11 16:05
a-Si pin太陽電池の自己無撞着シミュレーションとキャリアの捕獲生成過程の物理機構
鈴木 東筑波大)・吉田勝尚東大)・佐野伸行筑波大SDM2016-89
抄録 (和) ドリフト拡散式にポアソン方程式をカップルさせ、自己無撞着に解く、アモルファス・シリコン(a-Si) p-i-n 太陽電池のシミュレーターを開発した。光照射下でのキャプチャー・エミッションプロセスに関し、より厳密に物理的な考察を行うため、モビリティーギャップ内のトラップステートに対し、詳細釣り合いの原理を採用し、正確な非平衡分布関数を計算式に取り込んだ。さらに、キャプチャー・エミッションプロセスの物理的メカニズムを探求するため、今回提案する、モビリティーギャップ内のエネルギー分解解析手法により、各エネルギー準位でのトラップステートが、p-i-n構造のI-V特性に、どのように影響を及ぼすかを解析した。その結果、バンドエッジ近くのトラップステートは、モビリティーギャップ内センター部のトラップステートと比べ、太陽電池のデバイスの特性と変換効率に大きなインパクトを持つことが分かった。 
(英) (Not available yet)
キーワード (和) p-i-n太陽電池 / デバイスシミュレーション / ドリフト拡散 / アモルファス・シリコン / 詳細釣り合い / / /  
(英) / / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 296, SDM2016-89, pp. 59-64, 2016年11月.
資料番号 SDM2016-89 
発行日 2016-11-03 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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PDFダウンロード SDM2016-89

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2016-11-10 - 2016-11-11 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
テーマ(英) Process, Device, Circuit Simulation, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2016-11-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) a-Si pin太陽電池の自己無撞着シミュレーションとキャリアの捕獲生成過程の物理機構 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Self-Consistent Device Simulation of a-Si p-i-n Solar Cells and Physical Mechanism of Capture and Emission Processes 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) p-i-n太陽電池 /  
キーワード(2)(和/英) デバイスシミュレーション /  
キーワード(3)(和/英) ドリフト拡散 /  
キーワード(4)(和/英) アモルファス・シリコン /  
キーワード(5)(和/英) 詳細釣り合い /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 東 / Azuma Suzuki / スズキ アズマ
第1著者 所属(和/英) 筑波大学 (略称: 筑波大)
University of Tsukuba (略称: Tsukuba Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉田 勝尚 / Katsuhisa Yoshida / ヨシダ カツヒサ
第2著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Tokyo Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐野 伸行 / Nobuyuki Sano / サノ ノブユキ
第3著者 所属(和/英) 筑波大学 (略称: 筑波大)
University of Tsukuba (略称: Tsukuba Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2016-11-11 16:05:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2016-89 
巻番号(vol) vol.116 
号番号(no) no.296 
ページ範囲 pp.59-64 
ページ数
発行日 2016-11-03 (SDM) 


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