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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-11-11 13:30 ［招待講演］チャージポンピング法による単一MOS界面トラップの個別検出と解析 ～ 原子スケールの視点で新たなトラップ物理を目指して ～ ○土屋敏章（島根大）  SDM2016-86 |
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| 抄録 | （和） | チャージポンピング(CP)法で，単一のMOS界面トラップを個別に検出して評価する究極的な手法を用いて，全く新しい視点でトラップ物理の解明を進めた．従来のCP理論の根幹であるトラップ1個当たりの最大CP電流ICPMAX=fq（fはゲートパルス周波数，qは電子電荷）は誤りであり，0～2fqの様々な値をとることを明らかにした．これは，界面トラップ1個当たり2つの電子準位が関与しており，この各準位のエネルギー位置がバンドギャップ内で様々に異なっていることに起因していることを実証した．このことは界面トラップの起源がPbセンターであることを支持している．また，単一トラップのエネルギー準位密度分布(DOS)を導出し，Pb0センターのDOSと酷似していることを示すとともに，界面トラップのDOSはU字型とする定説に疑問を呈した． |
| （英） | We have developed effective procedures to detect and characterize single MOS interface traps by the charge pumping (CP) method, and found that the maximum CP current per trap (ICPMAX) is in the range of 0~2fq, but not a fixed value of fq, where f is the gate pulse frequency, and q is the electron charge. It has been clarified that two energy states per trap participate in the CP processes, and the various values of ICPMAX result from the differences in the pairs of energy levels. These findings support that the origin of the interface traps are Pb centers. The single-interface-trap density of the states has been also experimentally obtained, which is reasonably similar to the Pb0 density of the states. | |
| キーワード | （和） | MOS / 単一界面トラップ / チャージポンピング法 / / / / / |
| （英） | MOS / Single Interface Traps / Charge Pumping Method / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 296, SDM2016-86, pp. 43-47, 2016年11月. | |
| 資料番号 | SDM2016-86 | |
| 発行日 | 2016-11-03 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2016-86 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2016-11-10 - 2016-11-11 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit Simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2016-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | チャージポンピング法による単一MOS界面トラップの個別検出と解析 |
| サブタイトル（和） | 原子スケールの視点で新たなトラップ物理を目指して |
| タイトル（英） | Detection and Analysis of Single MOS Interface Traps Using the Charge Pumping Method |
| サブタイトル（英） | Toward Advanced Atomistic Trap Physics |
| キーワード(1)（和/英） | MOS / MOS |
| キーワード(2)（和/英） | 単一界面トラップ / Single Interface Traps |
| キーワード(3)（和/英） | チャージポンピング法 / Charge Pumping Method |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 土屋 敏章 / Toshiaki Tsuchiya / ツチヤ トシアキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 島根大学 (略称： 島根大) Shimane University (略称： Shimane Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-11-11 13:30:00 |
| 発表時間 | 60分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2016-86 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.296 |
| ページ範囲 | pp.43-47 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2016-11-03 (SDM) |
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