講演抄録/キーワード |
講演名 |
2016-11-18 11:20
GaN HEMTの低周波等価回路パラメータへのバッファトラップの影響 ○山口修造・大石敏之(佐賀大) MW2016-128 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2016-128 |
抄録 |
(和) |
GaN HEMT中のトラップの影響を検討するため,低周波における等価回路パラメータを測定した.バッファに対応する小信号等価回路としてソース・ドレイン(SD)間に直列と並列の抵抗と容量を挿入した.Y22とY12の周波数依存性から抵抗値と容量値を抽出した.抽出した値より計算した特性は実測を再現できることを確認した.また,直列回路から導出した時定数が並列回路の時定数より小さく,並列回路の成分が低周波で応答すると考えられる. |
(英) |
To examine the effect of the traps in the GaN HEMT, equivalent circuit parameters in the low-frequency was measured. Resistor and a capacitor in series and parallel is inserted between the source and drain (SD) as a small-signal equivalent circuit corresponding to the buffer. Resistance and capacitance value are extracted from the frequency dependence of the Y22 and Y12. Further, since the time constant derived from a series circuit smaller than the time constant of the parallel circuit, the components of the parallel circuit is considered to be responsive at low frequencies. |
キーワード |
(和) |
AlGaN/GaN HEMT / バッファトラップ / 小信号等価回路 / / / / / |
(英) |
AlGaN/GaN HEMT / buffer trap / Small signal equivalent circuit / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 116, no. 310, MW2016-128, pp. 69-72, 2016年11月. |
資料番号 |
MW2016-128 |
発行日 |
2016-11-10 (MW) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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