| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-11-30 14:35 IoTデバイス向けReRAM書き込み電圧生成回路の低電圧化およびコンパレータ回路のバイアス電流最適化手法 ○鶴見洸太・田中誠大・竹内 健（中大）  CPM2016-89 ICD2016-50 IE2016-84 |
|
| 抄録 | （和） | IoT向けのメモリやデータストレージとして，高速かつ低電力動作可能なReRAMが注目されている。IoT向けデバイスは小型化のため，センサ，ReRAMなどのメモリ，およびコントローラ回路を1パッケージ化することが必要とされている。また，IoT向けデバイスはエナジーハーベスト電源での動作を想定しコントローラ回路の低電圧化，高効率化が必要である。本論文では1.0 V動作可能なReRAM書き込み電圧生成回路の提案とコンパレータ回路のバイアス電流最適化手法について述べる。提案回路では従来回路と比較してReRAMの書き込み時間を71 %削減した。また提案手法により，コンパレータ回路のバイアス電流を8 mAで固定とした場合と比較して効率が6.6 %増加した。 |
| （英） | Resistive random access memory (ReRAM) is considered as candidates for IoT Edge device because of the high-speed and low power operation compared with the conventional NAND flash memory. The IoT edge device requires to merge sensor, memory and controller into one package for miniaturization. This paper has two proposals. First, the proposed boost converter is proposed to achieve 1.0 V operation and high speed ReRAM set/reset time, simultaneously. Finally, 0.6 V operation ReRAM program voltage generator with the 2 µA to 8 µA adaptive comparator current (ICMP) is proposed to achieve low ReRAM write voltage ripple (VRIPPLE) and high energy efficiency, simultaneously. The proposed boost converter reduces the ReRAM set/reset time by 71 % compared with the conventional boost converter. Besides the boost converter with proposed scheme improves 6.6 % energy efficiency compared with the boost converter with fixed 8 µA large ICMP. | |
| キーワード | （和） | 抵抗変化型メモリ(ReRAM) / ブーストコンバータ / Internet of Things(IoT) / IoT向け端末 / / / / |
| （英） | Resistive RAM(ReRAM) / boost converter / Internet of Things(IoT) / IoT edge device / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 334, ICD2016-50, pp. 69-74, 2016年11月. | |
| 資料番号 | ICD2016-50 | |
| 発行日 | 2016-11-22 (CPM, ICD, IE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2016-89 ICD2016-50 IE2016-84 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD DC CPSY RECONF CPM ICD IE |
| 開催期間 | 2016-11-28 - 2016-11-30 |
| 開催地（和） | 立命館大学大阪いばらきキャンパス |
| 開催地（英） | Ritsumeikan University, Osaka Ibaraki Campus |
| テーマ（和） | デザインガイア2016 -VLSI設計の新しい大地- |
| テーマ（英） | Design Gaia 2016 -New Field of VLSI Design- |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2016-11-VLD-DC-CPSY-RECONF-CPM-ICD-IE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | IoTデバイス向けReRAM書き込み電圧生成回路の低電圧化およびコンパレータ回路のバイアス電流最適化手法 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | ReRAM Write Voltage Generator with Low Supply Voltage Operation and Optimized Comparator Bias-Current Scheme for IoT Edge Device |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 抵抗変化型メモリ(ReRAM) / Resistive RAM(ReRAM) |
| キーワード(2)（和/英） | ブーストコンバータ / boost converter |
| キーワード(3)（和/英） | Internet of Things(IoT) / Internet of Things(IoT) |
| キーワード(4)（和/英） | IoT向け端末 / IoT edge device |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鶴見 洸太 / Kota Tsurumi / ツルミ コウタ |
| 第1著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 誠大 / Masahiro Tanaka / タナカ マサヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン |
| 第3著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-11-30 14:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | CPM2016-89, ICD2016-50, IE2016-84 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.333(CPM), no.334(ICD), no.335(IE) |
| ページ範囲 | pp.69-74 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-11-22 (CPM, ICD, IE) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]