講演抄録/キーワード |
講演名 |
2016-12-12 16:10
AlGaN/GaN HEMTの高耐圧・大電流化に関する検討 ○鈴木雄大・山崎泰誠・牧野伸哉・ジョエル アスバル・徳田博邦・葛原正明(福井大) ED2016-64 CPM2016-97 LQE2016-80 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2016-64 CPM2016-97 LQE2016-80 |
抄録 |
(和) |
本研究では、パワー回路への応用を目的として開発したアンペア級のAlGaN/GaN HEMTの高耐圧化と低損失化について検討した。大電流化を達成するため、総ゲート幅を増加したHEMTチップにおいて、ドレイン耐圧の急激な減少が観察された。統計的な解析の結果、大電流化に伴う耐圧低下がドレイン電極パターンとオーミック電極プロセスの両方に関係して生じることが明らかとなった。さらにフィールドプレート構造を導入したアンペア級MOS HEMTにおける電流コラプスの抑制効果について検討した。 |
(英) |
We have studied the characteristics of off-state breakdown voltage and on-state resistance of large gate-periphery AlGaN/GaN HEMTs with ampere-class drain current capability, which were developed for power-conversion circuit applications. A significant degradation in the off-state breakdown voltage was observed with increasing the total gate width. It was found that the breakdown degradation observed for larger gate-area devices is closely related to the drain electrode pattern shape and the ohmic annealing process. In addition, we have fabricated ampere-class AlGaN/GaN MOS HEMTs with a gate field plate to investigate its effect on the dynamic on-resistance characteristics. |
キーワード |
(和) |
AlGaN/GaN HEMT / 大電流 / 高耐圧 / 電流コラプス / フィールドプレート / / / |
(英) |
AlGaN/GaN HEMT / High Current / High Breakdown Voltage / Current Collapse / Field Plate / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 116, no. 356, ED2016-64, pp. 35-39, 2016年12月. |
資料番号 |
ED2016-64 |
発行日 |
2016-12-05 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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PDFダウンロード |
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