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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-12-12 16:10 AlGaN/GaN HEMTの高耐圧・大電流化に関する検討 ○鈴木雄大・山崎泰誠・牧野伸哉・ジョエル アスバル・徳田博邦・葛原正明（福井大）  ED2016-64 CPM2016-97 LQE2016-80 |
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| 抄録 | （和） | 本研究では、パワー回路への応用を目的として開発したアンペア級のAlGaN/GaN HEMTの高耐圧化と低損失化について検討した。大電流化を達成するため、総ゲート幅を増加したHEMTチップにおいて、ドレイン耐圧の急激な減少が観察された。統計的な解析の結果、大電流化に伴う耐圧低下がドレイン電極パターンとオーミック電極プロセスの両方に関係して生じることが明らかとなった。さらにフィールドプレート構造を導入したアンペア級MOS HEMTにおける電流コラプスの抑制効果について検討した。 |
| （英） | We have studied the characteristics of off-state breakdown voltage and on-state resistance of large gate-periphery AlGaN/GaN HEMTs with ampere-class drain current capability, which were developed for power-conversion circuit applications. A significant degradation in the off-state breakdown voltage was observed with increasing the total gate width. It was found that the breakdown degradation observed for larger gate-area devices is closely related to the drain electrode pattern shape and the ohmic annealing process. In addition, we have fabricated ampere-class AlGaN/GaN MOS HEMTs with a gate field plate to investigate its effect on the dynamic on-resistance characteristics. | |
| キーワード | （和） | AlGaN/GaN HEMT / 大電流 / 高耐圧 / 電流コラプス / フィールドプレート / / / |
| （英） | AlGaN/GaN HEMT / High Current / High Breakdown Voltage / Current Collapse / Field Plate / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 356, ED2016-64, pp. 35-39, 2016年12月. | |
| 資料番号 | ED2016-64 | |
| 発行日 | 2016-12-05 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2016-64 CPM2016-97 LQE2016-80 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2016-12-12 - 2016-12-13 |
| 開催地（和） | 京大桂キャンパス |
| 開催地（英） | Kyoto University |
| テーマ（和） | 窒化物半導体・光電子デバイス・材料、関連技術及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride semiconductors, optoelectronic devices, and related materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2016-12-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | AlGaN/GaN HEMTの高耐圧・大電流化に関する検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | AlGaN/GaN HEMTs with High Breakdown Voltage and High Drain Current |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN HEMT / AlGaN/GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | 大電流 / High Current |
| キーワード(3)（和/英） | 高耐圧 / High Breakdown Voltage |
| キーワード(4)（和/英） | 電流コラプス / Current Collapse |
| キーワード(5)（和/英） | フィールドプレート / Field Plate |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 雄大 / Yudai Suzuki / スズキ ユウダイ |
| 第1著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ.Fukui) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山崎 泰誠 / Taisei Yamazaki / ヤマザキ タイセイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ.Fukui) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 牧野 伸哉 / Shinya Makino / マキノ シンヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ.Fukui) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | ジョエル アスバル / Joel T. Asubar / ジョエル アスバル |
| 第4著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ.Fukui) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 徳田 博邦 / Hirokuni Tokuda / トクダ ヒロクニ |
| 第5著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ.Fukui) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 葛原 正明 / Masaaki Kuzuhara / クズハラ マサアキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ.Fukui) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-12-12 16:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2016-64, CPM2016-97, LQE2016-80 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.356(ED), no.357(CPM), no.358(LQE) |
| ページ範囲 | pp.35-39 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2016-12-05 (ED, CPM, LQE) |
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