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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-12-12 17:00 電気化学加工技術を利用したAlGaN/GaNヘテロ構造の低損傷リセスエッチング ○熊崎祐介・植村圭佑・佐藤威友（北大）  ED2016-66 CPM2016-99 LQE2016-82 |
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| 抄録 | （和） | AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの低損傷リセスエッチングを目的として，電気化学加工技術の検討を行った．AlGaN/GaNヘテロ構造の光電気化学測定から，AlGaN層もしくはGaN層で生成される2種類の光励起キャリアは，照射光波長及び印加電圧により分離して固液界面に供給できることを明らかにした．GaN層で光励起されたキャリアが電気化学反応に寄与すると局所的にエッチングが進行するのに対し，AlGaN層で光励起されたキャリアのみを電気化学反応に利用すると平坦なエッチング面が得られることを見出した．さらに，エッチングの自己停止機構が発現し，自己停止深さはエッチング中の照射光強度により制御できることを明らかにした．これらの優れた特徴と低損傷性を有する電気化学加工技術は，AlGaN/GaNヘテロ構造のリセスエッチングに有望な手法であるといえる． |
| （英） | Electrochemical etching process is demonstrated in this paper to fabricate recessed-gate AlGaN/GaN high electron mobility transistors without inducing damage. Photoelectrochemical measurements of AlGaN/GaN hetero-structures revealed that two kinds of carriers generated in either AlGaN layer or GaN layer could be supplied to solid/liquid interface separately by selecting proper light wavelength and voltage. Photo-carriers generated in GaN layer caused inhomogeneous etching, whereas those generated in AlGaN layer caused homogeneous etching. Moreover in electrochemical etching utilizing photo-carriers generated in AlGaN layer, self-terminating phenomenon was observed, and self-terminating depth could be controlled by light intensity. We believe that electrochemical etching process which has these excellent features is promising as recess etching technique. | |
| キーワード | （和） | 窒化ガリウム / 高電子移動度トランジスタ / ゲートリセス構造 / 電気化学エッチング / 自己停止 / / / |
| （英） | Gallium Nitride / HEMT / gate recess / electrochemical etching / self-terminating / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 356, ED2016-66, pp. 45-50, 2016年12月. | |
| 資料番号 | ED2016-66 | |
| 発行日 | 2016-12-05 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2016-66 CPM2016-99 LQE2016-82 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2016-12-12 - 2016-12-13 |
| 開催地（和） | 京大桂キャンパス |
| 開催地（英） | Kyoto University |
| テーマ（和） | 窒化物半導体・光電子デバイス・材料、関連技術及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride semiconductors, optoelectronic devices, and related materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2016-12-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 電気化学加工技術を利用したAlGaN/GaNヘテロ構造の低損傷リセスエッチング |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low-damage Recess Etching of AlGaN/GaN Hetero-structure by Electrochemical Process |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化ガリウム / Gallium Nitride |
| キーワード(2)（和/英） | 高電子移動度トランジスタ / HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | ゲートリセス構造 / gate recess |
| キーワード(4)（和/英） | 電気化学エッチング / electrochemical etching |
| キーワード(5)（和/英） | 自己停止 / self-terminating |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 熊崎 祐介 / Yusuke Kumazaki / クマザキ ユウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 植村 圭佑 / Keisuke Uemura / ウエムラ ケイスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 威友 / Taketomo Sato / サトウ タケトモ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-12-12 17:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2016-66, CPM2016-99, LQE2016-82 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.356(ED), no.357(CPM), no.358(LQE) |
| ページ範囲 | pp.45-50 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-12-05 (ED, CPM, LQE) |
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