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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-12-12 16:30 ニューラルネットワークのハードウェア化におけるキャパシタ型シナプスの検討 ○和多田晃樹・中西弘樹・木村 睦・松田時宜（龍谷大）  EID2016-28 SDM2016-109 |
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| 抄録 | （和） | ニューラルネットワークをハードウェア化するときの低消費電力化を目的として，キャパシタ型シナプスを検討している．トリマコンデンサによる任意論理の学習実験を行ったところAND論理，OR論理，XOR論理を学習し想起させる動作を確認できた. また，我々は高集積化が可能な薄膜材料の中でも低温プロセスかつ高移動度であるIGZO薄膜を用いたクロスポイント型デバイスを開発し,素子の集積度がはるかに向上する高集積シナプス素子としての可能性を確認することができた． |
| （英） | We are studying capacitor type synapses for the purpose of reducing power consumption when hardware of neural networks are made. We conducted a learning experiment of arbitrary logic with a trimmer capacitors and confirmed the operation of learning and recalling AND logic, OR logic, XOR logic. We developed a cross-point type devices using IGZO thin films which are fabricated using a low-temperature process and have high mobility among thin film materials that can be highly integrated, and we confirmed its possibility as a highly integrated synapse elements with much improved element integration. | |
| キーワード | （和） | セルラニューラルネットワーク / FPGA / 半固定コンデンサ / ニューロン / シナプス / / / |
| （英） | Cellular Neural Network / FPGA / Variable Capacitor / Neuron / Synapse / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 355, SDM2016-109, pp. 85-88, 2016年12月. | |
| 資料番号 | SDM2016-109 | |
| 発行日 | 2016-12-05 (EID, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EID2016-28 SDM2016-109 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM EID |
| 開催期間 | 2016-12-12 - 2016-12-12 |
| 開催地（和） | 奈良先端科学技術大学院大学 |
| 開催地（英） | NAIST |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Evaluation of Silicon Related Materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2016-12-SDM-EID |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ニューラルネットワークのハードウェア化におけるキャパシタ型シナプスの検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Research of capacitor-type synapses in the hardware of the neural network |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | セルラニューラルネットワーク / Cellular Neural Network |
| キーワード(2)（和/英） | FPGA / FPGA |
| キーワード(3)（和/英） | 半固定コンデンサ / Variable Capacitor |
| キーワード(4)（和/英） | ニューロン / Neuron |
| キーワード(5)（和/英） | シナプス / Synapse |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 和多田 晃樹 / Koki Watada / ワタダ コウキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中西 弘樹 / Hiroki Nakanishi / ナカニシ ヒロキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木村 睦 / Mutsumi Kimura / キムラ ムツミ |
| 第3著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松田 時宜 / Tokiyoshi Matsuda / マツダ トキヨシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-12-12 16:30:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | EID2016-28, SDM2016-109 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.354(EID), no.355(SDM) |
| ページ範囲 | pp.85-88 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-12-05 (EID, SDM) |
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