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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-12-13 09:05 MOCVD法による凸凹表面p-GaN層の形成とInGaN/GaN MQW構造太陽電池への応用 ○森 拓磨・三好実人・江川孝志（名工大）  ED2016-68 CPM2016-101 LQE2016-84 |
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| 抄録 | （和） | InGaN混晶を吸収層に用いた窒化物系太陽電池は、原理的に太陽光の大半のスペクトルを吸収することが可能であるため、有毒元素を含まない高効率太陽電池への応用が期待されている。本研究では、有機金属気相成長法(MOCVD法)の低温成長によってInGaN上に形成される凸凹表面p-GaN層のInGaN/GaN MQW構造太陽電池への適用を目的に、凸凹表面形成に係る制御因子特定のための実験を行った。異なるInGaN MQW構造上にp-GaN層を800℃程度の低温で成長したところ、凹凸表面を有するp-GaN層が得られ、その表面粗さがInGaN well層の総膜厚に従って変化することを見出した。また、成長した表面粗さの異なる試料に対し光学評価を実施し、作製した太陽電池デバイスの特性との相関を調べたところ、光学特性の改善による太陽電池特性の改善が示唆された。 |
| （英） | Nitride-based solar cells with an InGaN absorption layer is promising as nontoxic and high efficiency solar cell devices since they can absorb most of the spectrum of sunlight. In this study, in order to apply a rough surface p-GaN layer, which is formed on InGaN layers by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) at a low temperature, to the InGaN/GaN multi quantum well (MQW) structure solar cell, the growth parameters were carefully studied. It was confirmed that a p-GaN layer with a rough surface is formed on InGaN MQW structure when it was grown at a low temperature around 800 ° C. It was also confirmed that the surface roughness varies according to the total film thickness of InGaN wells. Furthermore, the surface optical properties and their effect on the solar cell performance were investigated for the fabricated rough-surface samples. The result indicated that the solar cell performance was improved with the improvement of optical properties. | |
| キーワード | （和） | InGaN/GaN MQW構造 / MOCVD / 低温成長p-GaN層 / / / / / |
| （英） | InGaN / GaN MQW structure / MOCVD / low temperature growth of p-GaN layer / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 358, LQE2016-84, pp. 55-59, 2016年12月. | |
| 資料番号 | LQE2016-84 | |
| 発行日 | 2016-12-05 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2016-68 CPM2016-101 LQE2016-84 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2016-12-12 - 2016-12-13 |
| 開催地（和） | 京大桂キャンパス |
| 開催地（英） | Kyoto University |
| テーマ（和） | 窒化物半導体・光電子デバイス・材料、関連技術及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride semiconductors, optoelectronic devices, and related materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2016-12-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | MOCVD法による凸凹表面p-GaN層の形成とInGaN/GaN MQW構造太陽電池への応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | MOCVD growth of rough-surface p-GaN and its application to InGaN/GaN MQW solar cells |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaN/GaN MQW構造 / InGaN / GaN MQW structure |
| キーワード(2)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(3)（和/英） | 低温成長p-GaN層 / low temperature growth of p-GaN layer |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 拓磨 / Takuma Mori / モリ タクマ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三好 実人 / Makoto Miyoshi / ミヨシ マコト |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江川 孝志 / Takashi Egawa / エガワ タカシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-12-13 09:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2016-68, CPM2016-101, LQE2016-84 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.356(ED), no.357(CPM), no.358(LQE) |
| ページ範囲 | pp.55-59 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2016-12-05 (ED, CPM, LQE) |
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