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講演抄録/キーワード
講演名 2016-12-15 15:30
[ポスター講演]低電圧動作ReRAMの書き換え電圧昇圧回路の高速化
鈴木健太田中誠大鶴見洸太竹内 健中大ICD2016-67 CPSY2016-73
抄録 (和) 次世代不揮発性メモリとして低消費電力,高速動作可能な抵抗変化型メモリ(ReRAM)が注目されている。ReRAMは印加する電圧に応じて内部のフィラメントを生成または消滅させることにより、低抵抗状態と高抵抗状態に書き換えることができる。ReRAMセルの書き換え電圧はコントローラ回路の電源電圧より大きいため、ReRAMの書き換えには昇圧回路が必要である。昇圧回路の性能はReRAMの書き換え時間に影響し、高速化のためには昇圧時間の短縮と供給可能な負荷電流の増加が求められる。本論文ではReRAM書き換え電圧昇圧回路の高速化を検討し設計および評価を行った。 
(英) Resistive random access memory (ReRAM) is considered as one of the next generation non-volatile memories due to its high-speed program and low power consumption. By applying the program voltage, size of conductive filament is changed and ReRAM cell resistance is switched between high resistance state and low resistance state. Because the ReRAM program voltage is larger than the supply voltage of controller circuit, ReRAM program voltage generator is required. The ReRAM program voltage generator should have fast rising time and high current drivability for high-speed program operation. This paper investigates high-speed operation of ReRAM program voltage generator.
キーワード (和) ReRAM / 昇圧回路 / 高速化 / / / / /  
(英) ReRAM / Program voltage generator / High-speed operation / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 364, ICD2016-67, pp. 53-53, 2016年12月.
資料番号 ICD2016-67 
発行日 2016-12-08 (ICD, CPSY) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ICD2016-67 CPSY2016-73

研究会情報
研究会 ICD CPSY  
開催期間 2016-12-15 - 2016-12-16 
開催地(和) 東京工業大学 
開催地(英) Tokyo Institute of Technology 
テーマ(和) 学生・若手研究会 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2016-12-ICD-CPSY 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 低電圧動作ReRAMの書き換え電圧昇圧回路の高速化 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) High-Speed Operation of Program Voltage Generator for Low-voltage ReRAM 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ReRAM / ReRAM  
キーワード(2)(和/英) 昇圧回路 / Program voltage generator  
キーワード(3)(和/英) 高速化 / High-speed operation  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 健太 / Kenta Suzuki / スズキ ケンタ
第1著者 所属(和/英) 中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 田中 誠大 / Masahiro Tanaka / タナカ マサヒロ
第2著者 所属(和/英) 中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 鶴見 洸太 / Kota Tsurumi / ツルミ コウタ
第3著者 所属(和/英) 中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン
第4著者 所属(和/英) 中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2016-12-15 15:30:00 
発表時間 120分 
申込先研究会 ICD 
資料番号 ICD2016-67, CPSY2016-73 
巻番号(vol) vol.116 
号番号(no) no.364(ICD), no.365(CPSY) 
ページ範囲 p.53 
ページ数
発行日 2016-12-08 (ICD, CPSY) 


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