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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-12-16 14:30 タングステン及び炭素接点を用いたハイブリッド直流遮断器のアークレス化 ○早川達也・中山恭太郎・安岡康一（東工大）  EMD2016-66 |
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| 抄録 | （和） | 近年直流給配電の需要増加に伴い，電気接点と半導体素子を並列に接続したハイブリッド直流遮断器が注目されている。ここで半導体素子として低オン抵抗であるSiC-MOSFETを採用すれば，開極した際に接点間に形成される溶融ブリッジの電圧で電流転流を完了し，アークレス化が可能である。本稿では高いブリッジ電圧が得られるタングステンや炭素といった高沸点材料を接点材料として採用し，そのアーク発生過程や電流転流特性について検討し，直流50 V, 150 Aの条件で確実なアークレスな転流を実現したので報告する。 |
| （英） | A hybrid circuit breaker consists of power semiconductor devices and a varistor connected in parallel with an electrical contact. In this study, we use SiC-MOSFET and contacts made from tungsten and carbon, which have high melting and boiling temperatures, to commute the contact current to MOSFET by the molten metal bridge voltage formed between contacts without arc discharge Arc formation processes and current commutation characteristics of each contact at the condition of DC 50 V, 150 A were investigated. As a result, arcless commutation was successfully demonstrated when using each contact. | |
| キーワード | （和） | アーク放電 / 直流遮断器 / 溶融ブリッジ / 接点材料 / SiC-MOSFET / / / |
| （英） | Arc discharge / DC circuit breaker / Molten metal bridge / Contact material / SiC-MOSFET / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 371, EMD2016-66, pp. 7-12, 2016年12月. | |
| 資料番号 | EMD2016-66 | |
| 発行日 | 2016-12-09 (EMD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EMD2016-66 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMD |
| 開催期間 | 2016-12-16 - 2016-12-16 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | EMD |
| 会議コード | 2016-12-EMD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | タングステン及び炭素接点を用いたハイブリッド直流遮断器のアークレス化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Arcless Hybrid DC Circuit Breaker Using Tungsten and Carbon Contacts |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | アーク放電 / Arc discharge |
| キーワード(2)（和/英） | 直流遮断器 / DC circuit breaker |
| キーワード(3)（和/英） | 溶融ブリッジ / Molten metal bridge |
| キーワード(4)（和/英） | 接点材料 / Contact material |
| キーワード(5)（和/英） | SiC-MOSFET / SiC-MOSFET |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 早川 達也 / Tatsuya Hayakawa / ハヤカワ タツヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Titech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中山 恭太郎 / Kyotaro Nakayama / ナカヤマ キョウタロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Titech) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安岡 康一 / Koichi Yasuoka / ヤスオカ コウイチ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Titech) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-12-16 14:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | EMD |
| 資料番号 | EMD2016-66 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.371 |
| ページ範囲 | pp.7-12 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-12-09 (EMD) |
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