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講演抄録/キーワード
講演名 2016-12-16 14:50
RF整流器のシミュレーション再現性を考慮したGaN HEMT大信号デバイスモデルの提案
安井 吏石川 亮本城和彦電通大MW2016-166
抄録 (和) 近年,GaN HEMTなどの能動素子を用いた高効率RF整流器が提案されているが,これらの回路のシミュレーション再現性を改善するため,我々はGaN HEMTの第3 象限領域(ドレイン電圧,ドレイン電流が共に負の領域)の再現性を高めたデバイスモデルを提案する.実際のGaN HEMTデバイスの特性測定を行い,このデバイスモデルに基づいてパラメータのフィッティングを行い,第3象限領域での特性再現性の改善が確認された. 
(英) (Not available yet)
キーワード (和) GaN HEMT / RF整流器 / デバイスモデル / 第3象限領域 / / / /  
(英) / / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 363, MW2016-166, pp. 195-198, 2016年12月.
資料番号 MW2016-166 
発行日 2016-12-08 (MW) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード MW2016-166

研究会情報
研究会 MW  
開催期間 2016-12-15 - 2016-12-16 
開催地(和) 防衛大学校 
開催地(英) National Defense Academy 
テーマ(和) 学生研究会/マイクロ波一般 
テーマ(英) Students Session / Microwave Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MW 
会議コード 2016-12-MW 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) RF整流器のシミュレーション再現性を考慮したGaN HEMT大信号デバイスモデルの提案 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Large Signal GaN HEMT Device Model for Accurate RF Power Rectifier Simulation 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) GaN HEMT /  
キーワード(2)(和/英) RF整流器 /  
キーワード(3)(和/英) デバイスモデル /  
キーワード(4)(和/英) 第3象限領域 /  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 安井 吏 / Tsukasa Yasui / ヤスイ ツカサ
第1著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communications (略称: UEC)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 石川 亮 / Ryo Ishikawa / イシカワ リョウ
第2著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communications (略称: UEC)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 本城 和彦 / Kazuhiko Honjo / カズヒコ ホンジョウ
第3著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communications (略称: UEC)
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講演者 第1著者 
発表日時 2016-12-16 14:50:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 MW 
資料番号 MW2016-166 
巻番号(vol) vol.116 
号番号(no) no.363 
ページ範囲 pp.195-198 
ページ数
発行日 2016-12-08 (MW) 


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