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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-12-16 16:10 等温点及びバックゲートバイアス制御を用いた広温度領域対応ISFETアレイの解析 ○多木 真・徐 祖楽・河原尊之（東京理科大）  ICD2016-99 CPSY2016-105 |
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| 抄録 | （和） | 高感度なpHセンサであるISFETは半導体技術の進歩により容易にアレイ化でき，製造，農業，医療，食品，環境などの分野で応用が期待させている．しかしISFETは温度変化の影響を受け，pH測定精度が劣化してしまう，IoT社会にて様々な温度条件でのpH値を管理・監視が想定されるため，広い温度領域に対応する必要がある．そこで本研究では温度補償法として，ISFETの温度特性の測定及び分析に基づき，温度変化の影響を受けないドレイン電流（等温点電流）の値に設定する方法とFDSOI構造によるバックゲートバイアス制御を用いて温度補償する方法の二つを提案する. この提案方式を実現する回路を組み上げ, 65nmプロセスSpiceモデルを用いて，その動作と温度補償効果を検討した． |
| （英） | pH sensors using ion-sensitive field effect transistors (ISFETs) are sensitive to temperature variation, which limits their use in IoT applications. The effect of temperature on the threshold voltage and drain current is comprehensively analyzed and revealed by measured temperature characteristics. On the basis of the analysis and measurement, two temperature compensation methods for ISFETs pH sensors have been developed: the isothermal point method and the back-gate bias-control method. So we built a circuit that realizes the proposed method using the 65 nm process Spice model and examined their operation and temperature compensation effect. | |
| キーワード | （和） | ISFET / アレイ / 温度補償 / 等温点 / バックゲートバイアス制御 / / / |
| （英） | ISFET / Array / Temperature-Compensation / Isothermal-Point / Back-Gate-Bias-Control / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 364, ICD2016-99, pp. 155-160, 2016年12月. | |
| 資料番号 | ICD2016-99 | |
| 発行日 | 2016-12-08 (ICD, CPSY) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2016-99 CPSY2016-105 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD CPSY |
| 開催期間 | 2016-12-15 - 2016-12-16 |
| 開催地（和） | 東京工業大学 |
| 開催地（英） | Tokyo Institute of Technology |
| テーマ（和） | 学生・若手研究会 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2016-12-ICD-CPSY |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 等温点及びバックゲートバイアス制御を用いた広温度領域対応ISFETアレイの解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of Wide-Range-Temperature Compensation Using Isothermal-Point and Back-Gate-Bias-Control for ISFET-Array |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ISFET / ISFET |
| キーワード(2)（和/英） | アレイ / Array |
| キーワード(3)（和/英） | 温度補償 / Temperature-Compensation |
| キーワード(4)（和/英） | 等温点 / Isothermal-Point |
| キーワード(5)（和/英） | バックゲートバイアス制御 / Back-Gate-Bias-Control |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 多木 真 / Makoto Ogi / オオギ マコト |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： TUS) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 徐 祖楽 / Zule Xu / ジョ ソラク |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： TUS) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 河原 尊之 / Takayuki Kawahara / カワハラ タカユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： TUS) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-12-16 16:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2016-99, CPSY2016-105 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.364(ICD), no.365(CPSY) |
| ページ範囲 | pp.155-160 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-12-08 (ICD, CPSY) |
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