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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-12-19 14:00 ［招待講演］Evaluation of transistor performance in single and double δ-doping in InP-based high-electron-mobility transistors with MOVPE-grown InAs/In0.8Ga0.2As quantum-well ○Amine El Moutaouakil・Hiroki Sugiyama・Hideaki Matsuzaki（NTT）  ED2016-80 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | InP-based high-electron-mobility transistors (HEMTs) with InAs quantum-well have exhibited record high-speed performances, thanks to their high electron mobility and saturation velocity. Recently, the integration of a double δ-doping in HEMT structures is also used to boost the operation speed. However, there are no comprehensive and quantitative reports comparing similar structures with both single- and double-doping layers. In this review, we report on an InP-based HEMT with a novel 6-nm-thick InAs/In0.8Ga0.2As quantum well in the channel, and we will discuss the differences in the DC and RF performances for the fabricated HEMTs with a single-δ-doped (SD) layer and with a double-δ-doped (DD) layers. We will also analyze the delay-time for both structures. | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | HEMT / InAs / InGaAs / DC / RF / Millimeter-wave / THz / terahertz-wave devices and systems | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 375, ED2016-80, pp. 1-5, 2016年12月. | |
| 資料番号 | ED2016-80 | |
| 発行日 | 2016-12-12 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2016-80 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2016-12-19 - 2016-12-20 |
| 開催地（和） | 東北大通研ナノ・スピン棟 |
| 開催地（英） | RIEC, Tohoku Univ |
| テーマ（和） | ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム |
| テーマ（英） | Millimeter-wave, terahertz-wave devices and systems |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2016-12-ED |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of transistor performance in single and double δ-doping in InP-based high-electron-mobility transistors with MOVPE-grown InAs/In0.8Ga0.2As quantum-well |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | / InAs |
| キーワード(3)（和/英） | / InGaAs |
| キーワード(4)（和/英） | / DC |
| キーワード(5)（和/英） | / RF |
| キーワード(6)（和/英） | / Millimeter-wave |
| キーワード(7)（和/英） | / THz |
| キーワード(8)（和/英） | / terahertz-wave devices and systems |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | エルムタワキル アミン / Amine El Moutaouakil / エルムタワキル アミン |
| 第1著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉山 弘樹 / Hiroki Sugiyama / スギヤマ ヒロキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松崎 秀昭 / Hideaki Matsuzaki / マツザキ ヒデアキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-12-19 14:00:00 |
| 発表時間 | 40分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2016-80 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.375 |
| ページ範囲 | pp.1-5 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2016-12-12 (ED) |
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