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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-12-19 16:05 180 nmCMOSプロセスを用いたテラヘルツ検出器の設計と評価 ○脇田幸典・池辺将之（北大）・Stevanus Arnold・尾辻泰一（東北大）・瀧田佑馬・南出泰亜（理研）・佐野栄一（北大）  ED2016-83 |
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| 抄録 | （和） | 近年、テラヘルツ波を用いたイメージングが注目を集めている。本研究では、イメージングアレイへの搭載に向けて、イメージングピクセルを180 nm SiCMOSプロセスを用いて設計・試作し評価した。イメージングピクセルは、MOSFETの非線形性を用いたテラヘルツ検出器、マイクロストリップパッチアンテナ、およびインピーダンス整合回路より構成される。イメージングピクセルのサイズは250 x 180 um^2である。イメージングピクセルはキャリア周波数0.915 THzにおいて51.9 kV/WのResponsivity、変調周波数31 Hzにおいて358 pW/Hz^1/2のNEP(Noise Equivalent Power)を示した。NEPは100 kHzで変調することで42 pW/Hz^1/2が期待される。 |
| （英） | Use of terahertz waves for imaging is gaining increased interest. A CMOS cascode amplifier biased near the threshold voltage of a MOSFET for terahertz direct detection is proposed. A CMOS terahertz imaging pixel is designed and fabricated on the basis of a low-cost 180 nm CMOS process technology. The imaging pixel consists of a microstrip patch antenna, an impedance-matching circuit, and the direct detector. The imaging circuit occupies 250 × 180 um^2. It achieves a responsivity of 51.9 kV/W at 0.915 THz and a noise equivalent power (NEP) of 358 pW/Hz^1/2 at a modulation frequency of 31 Hz. The NEP is estimated to be reduced to 42 pW/Hz^1/2 at a higher modulation frequency of 100 kHz. | |
| キーワード | （和） | テラヘルツ / イメージング / CMOS / 検出器 / Responsivity / NEP / / |
| （英） | Terahertz / THｚ / Imaging / CMOS / Detector / Responsivity / NEP / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 375, ED2016-83, pp. 17-22, 2016年12月. | |
| 資料番号 | ED2016-83 | |
| 発行日 | 2016-12-12 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2016-83 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2016-12-19 - 2016-12-20 |
| 開催地（和） | 東北大通研ナノ・スピン棟 |
| 開催地（英） | RIEC, Tohoku Univ |
| テーマ（和） | ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム |
| テーマ（英） | Millimeter-wave, terahertz-wave devices and systems |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2016-12-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 180 nmCMOSプロセスを用いたテラヘルツ検出器の設計と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Design and fabrication of terahertz detectors based on 180 nm CMOS process technology |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | テラヘルツ / Terahertz |
| キーワード(2)（和/英） | イメージング / THｚ |
| キーワード(3)（和/英） | CMOS / Imaging |
| キーワード(4)（和/英） | 検出器 / CMOS |
| キーワード(5)（和/英） | Responsivity / Detector |
| キーワード(6)（和/英） | NEP / Responsivity |
| キーワード(7)（和/英） | / NEP |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 脇田 幸典 / Kosuke Wakita / ワキタ コウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池辺 将之 / Masayuki Ikebe / マサユキ イケベ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | Stevanus Arnold / Stevanus Arnold / ステファヌス アルノード |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 尾辻 泰一 / Taiichi Otsuji / オツジ タイイチ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 瀧田 佑馬 / Yuma Takida / タキダ ユウマ |
| 第5著者 所属（和/英） | 理化学研究所 (略称： 理研) RIKEN Center for Advanced Photonics (略称： RIKEN) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 南出 泰亜 / Hiroaki Minamide / ミナミデ ヒロアキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 理化学研究所 (略称： 理研) RIKEN Center for Advanced Photonics (略称： RIKEN) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐野 栄一 / Eiichi Sano / サノ エイイチ |
| 第7著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-12-19 16:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2016-83 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.375 |
| ページ範囲 | pp.17-22 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-12-12 (ED) |
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