お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2017-01-26 15:25
[依頼講演]GaN縦型パワーデバイス実用化に向けた課題
須田 淳京大ED2016-99 MW2016-175 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2016-99 MW2016-175
抄録 (和) 高耐圧,低オン抵抗の次世代パワーデバイスとしてGaN縦型パワーデバイスに期待が寄せられている.高性能デバイスの試作報告も出始めており,GaNの高いポテンシャルを示唆しているが,GaNの特性を最大限に引き出し,かつ,実用レベルに高めるためには取り組むべき課題も多い.本稿ではGaN縦型パワーデバイスの課題を項目毎に整理する. 
(英) GaN vertical power devices have attracted much attention as next-generation high-voltage low-on-resistance power devices. Recently, some groups have demonstrated GaN vertical power devices with excellent characteristics. However, there are many things to do for commercialization of GaN vertical power devices. In this paper, the author discuss main challenges.
キーワード (和) 窒化ガリウム / パワーデバイス / / / / / /  
(英) GaN / Power Devices / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 431, ED2016-99, pp. 17-18, 2017年1月.
資料番号 ED2016-99 
発行日 2017-01-19 (ED, MW) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2016-99 MW2016-175 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2016-99 MW2016-175

研究会情報
研究会 MW ED  
開催期間 2017-01-26 - 2017-01-27 
開催地(和) 機械振興会館地下2階1号室 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス/マイクロ波一般 
テーマ(英) Compound Semiconductor IC and High-Speed, High-Frequency Devices / Microwave Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2017-01-MW-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) GaN縦型パワーデバイス実用化に向けた課題 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Towards Realization of GaN Vertical Power Devices 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 窒化ガリウム / GaN  
キーワード(2)(和/英) パワーデバイス / Power Devices  
キーワード(3)(和/英) /  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 須田 淳 / Jun Suda / スダ ジュン
第1著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第2著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第3著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第4著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2017-01-26 15:25:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2016-99, MW2016-175 
巻番号(vol) vol.116 
号番号(no) no.431(ED), no.432(MW) 
ページ範囲 pp.17-18 
ページ数
発行日 2017-01-19 (ED, MW) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会