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| 講演名 | 2017-01-26 14:45 ［ポスター講演］電圧分割型E級増幅器のドライブ回路寄生容量の影響 ○平山克利（長崎大）・末次 正（福岡大）・丸田英徳・黒川不二雄（長崎大）  EE2016-69 |
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| 抄録 | （和） | 電圧分割型E級増幅器のドライブ回路に接続されたダイオードの寄生容量の影響について検討する。電圧分割型E級増幅器は, スイッチ部分に複数個のトランジスタを直列に接続し, ピークスイッチ電圧を分割することができるため, E級増幅器の問題点に対応することができる。しかし, トランジスタを直列接続しているため, ソースをグランドに落とすことができない。この問題を各ゲート部分に抵抗とダイオードを接続することで対応している。この抵抗とダイオードのゲート回路部は下の段のドレインと接続しているため, ダイオードの寄生容量がシャントキャパシタに影響を及ぼす。しかし, これまでの解析では, ドライブ回路に接続されたダイオードの寄生容量の存在を考慮していなかった。したがって, 本論文では, 設計時において, ドライブ回路の寄生容量の影響について検討する。この設計により, 寄生容量の影響でZVS動作維持できないような高周波動作においても最適動作することができる。 |
| （英） | This paper considers influence of voltage dividing class E amplifier by parasitic capacitances of diode of connected to drive circuit. Voltage dividing class E amplifier can accommodate problem of class E amplifier because it is possible to divide peak switch voltage by connecting transistors in series. In this circuit, the source of transistor can’t be connected to ground by connecting transistors in series. This problem is addressed by connecting a resistor and two diodes to each gate part of transistor. The gate circuit part connects with the drain of lower transistor. Namely, parasitic capacitances of diode have an influence on shunt capacitance. However, previous analyses didn’t consider the existence of parasitic capacitances of diode connected to the drive circuit. In this paper, influence of parasitic capacitances of drive circuit are taken into consideration for a design. With this design, nominal operating circuit can be designed properly at the high operating frequency where a ZVS operation could not be achieved due to the parasitic capacitance. | |
| キーワード | （和） | E級増幅器 / ピークスイッチ電圧 / 電圧分割 / 寄生容量 / / / / |
| （英） | class E amplifier / peak switch voltage / voltage divider / parasitic capacitance / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 429, EE2016-69, pp. 107-110, 2017年1月. | |
| 資料番号 | EE2016-69 | |
| 発行日 | 2017-01-19 (EE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EE2016-69 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EE |
| 開催期間 | 2017-01-26 - 2017-01-27 |
| 開催地（和） | 長崎大学(文教キャンパス) |
| 開催地（英） | Nagasaki University |
| テーマ（和） | 回路技術及び高効率エネルギー変換技術関連，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | EE |
| 会議コード | 2017-01-EE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 電圧分割型E級増幅器のドライブ回路寄生容量の影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect on Voltage Dividing Class E Amplifier by Parasitic Capacitances of Drive Circuit |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | E級増幅器 / class E amplifier |
| キーワード(2)（和/英） | ピークスイッチ電圧 / peak switch voltage |
| キーワード(3)（和/英） | 電圧分割 / voltage divider |
| キーワード(4)（和/英） | 寄生容量 / parasitic capacitance |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平山 克利 / Katsutoshi Hirayama / ヒラヤマ カツトシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 長崎大学 (略称： 長崎大) Nagasaki University (略称： Nagasaki Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 末次 正 / Tadashi Suetsugu / スエツグ タダシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 福岡大学 (略称： 福岡大) Fukuoka University (略称： Fukuoka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 丸田 英徳 / Hidenori Maruta / マルタ ヒデノリ |
| 第3著者 所属（和/英） | 長崎大学 (略称： 長崎大) Nagasaki University (略称： Nagasaki Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 黒川 不二雄 / Fujio Kurokawa / クロカワ フジオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 長崎大学 (略称： 長崎大) Nagasaki University (略称： Nagasaki Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-01-26 14:45:00 |
| 発表時間 | 80分 |
| 申込先研究会 | EE |
| 資料番号 | EE2016-69 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.429 |
| ページ範囲 | pp.107-110 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-01-19 (EE) |
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