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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-01-27 09:55 HfO2/Al2O3/InGaAsゲート構造における移動度への成膜温度およびH2アニールの影響 ○大澤一斗・野口真司・祢津誠晃・木瀬信和・宮本恭幸（東工大）  ED2016-103 MW2016-179 |
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| 抄録 | （和） | 高い電子移動度を持つIII-V族化合物半導体が将来のnMOSFETのチャネル材料として期待されている。その実現のためには低いトラップ密度と高い電子移動度の両立が必要である。今回我々はN2プラズマ/TMAによる表面処理と低温成膜を用いてゲート絶縁膜を成膜し、Al2O3/InGaAsおよびHfO2/Al2O3/InGaAs構造を持つMOSFETにおいて移動度と界面準位密度(Dit)を評価した。さらにH2アニールが移動度とDitに与える影響を調べた。成膜温度を300 °Cから120 °Cに下げるとHfO2/Al2O3/InGaAs構造においては移動度が向上するが、Al2O3/InGaAs構造の場合はあまり変化しなかった。Ditについては120 °C成膜のほうが小さい値を示した。H2アニールについてはゲート構造によって移動度が改善する場合と劣化する場合があった。 |
| （英） | III–V compound semiconductors are promising materials for future n-type MOSFET channels because of their high electron mobility. To realize high-performance MOSFETs, the MOSFETs should have low trap densities and high electron mobility. In this study, the mobilities and interface state densities of the MOSFETs with the Al2O3/InGaAs and HfO2/Al2O3/InGaAs gate stacks were extracted after nitrogen plasma/TMA cleaning. The deposition at 120 °C improved the mobility of MOSFETs with HfO2/2-cycle Al2O3/InGaAs gate stacks by twice to that at the deposition at 300 °C, although the dependence of mobility on the deposition temperature in Al2O3/InGaAs gate stacks was weak. The deposition at 120 °C also improved interface state densities. H2 annealing improved or degraded the electron mobilities depending on gate stacks. | |
| キーワード | （和） | 移動度 / 界面準位密度 / InGaAs / HfO2 / Al2O3 / / / |
| （英） | Mobility / Interface state density / InGaAs / HfO2 / Al2O3 / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 431, ED2016-103, pp. 35-40, 2017年1月. | |
| 資料番号 | ED2016-103 | |
| 発行日 | 2017-01-19 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2016-103 MW2016-179 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW ED |
| 開催期間 | 2017-01-26 - 2017-01-27 |
| 開催地（和） | 機械振興会館地下2階1号室 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor IC and High-Speed, High-Frequency Devices / Microwave Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2017-01-MW-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | HfO2/Al2O3/InGaAsゲート構造における移動度への成膜温度およびH2アニールの影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Dependence of Electron Mobility on Deposition Temperature and H2 Annealing in MOSFETs with HfO2/Al2O3/InGaAs Gate Stacks |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 移動度 / Mobility |
| キーワード(2)（和/英） | 界面準位密度 / Interface state density |
| キーワード(3)（和/英） | InGaAs / InGaAs |
| キーワード(4)（和/英） | HfO2 / HfO2 |
| キーワード(5)（和/英） | Al2O3 / Al2O3 |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大澤 一斗 / Kazuto Ohsawa / オオサワ カズト |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野口 真司 / Shinji Noguchi / ノグチ シンジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 祢津 誠晃 / Seiko Netsu / ネツ セイコウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木瀬 信和 / Nobukazu Kise / キセ ノブカズ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮本 恭幸 / Yasuyuki Miyamoto / ミヤモト ヤスユキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-01-27 09:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2016-103, MW2016-179 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.431(ED), no.432(MW) |
| ページ範囲 | pp.35-40 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-01-19 (ED, MW) |
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