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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-01-27 14:50 ゲート長0.15um GaN HEMTを用いた動作帯域8%、30W出力/60% PAEのX帯GaN電力増幅器 ○河村由文・半谷政毅・水谷知大・富山賢一・山中宏治（三菱電機）  ED2016-111 MW2016-187 |
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| 抄録 | （和） | 短ゲート長（Lg=0.15 um）GaN HEMT を用いた30W級X帯GaN電力増幅器について報告する。本電力増幅器では、X帯GaN電力増幅器の更なる高効率化を実現するため、短ゲート長（Lg=0.15 um）GaN HEMT を用い、入力側・出力側の両方に2次高調波処理回路を装荷した構成を適用した。試作・評価の結果、X帯の比帯域8%の周波数範囲において、出力電力Pout=44.5～45.0 dBm（28～31.5W）、動作利得Gain=11dB以上、電力付加効率PAE=57～60%の性能を達成した。 |
| （英） | In this paper, a 30W-class X-band high-efficiency Internally Matched FET (IMFET) implemented in a 0.15 um GaN HEMT process is presented. The fabricated HPA has achieved the Pout of 28-31.5 W and the PAE (power added efficiency) of 57-60% and the gain of 11-12.5dB over 8% relative bandwidth. To the authors’ knowledge, this is one of the highest level performance among ever-reported ones. | |
| キーワード | （和） | 高出力電力増幅器 / GaN / X帯 / 内部整合型FET / / / / |
| （英） | High-power amplifier / gallium nitride (GaN) / X-band / Internally Matched FET / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 432, MW2016-187, pp. 81-84, 2017年1月. | |
| 資料番号 | MW2016-187 | |
| 発行日 | 2017-01-19 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2016-111 MW2016-187 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW ED |
| 開催期間 | 2017-01-26 - 2017-01-27 |
| 開催地（和） | 機械振興会館地下2階1号室 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor IC and High-Speed, High-Frequency Devices / Microwave Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2017-01-MW-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ゲート長0.15um GaN HEMTを用いた動作帯域8%、30W出力/60% PAEのX帯GaN電力増幅器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 30W Output/60% PAE GaN Power Amplifier at X-band 8% Relative Bandwidth Utilizing 0.15um GaN HEMT Technology |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 高出力電力増幅器 / High-power amplifier |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / gallium nitride (GaN) |
| キーワード(3)（和/英） | X帯 / X-band |
| キーワード(4)（和/英） | 内部整合型FET / Internally Matched FET |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 河村 由文 / Yoshifumi Kawamura / カワムラ ヨシフミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 半谷 政毅 / Masatake Hangai / ハンガイ マサタケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水谷 知大 / Tomohiro Mizutani / ミズタニ トモヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 富山 賢一 / Kenichi Tomiyama / トミヤマ ケンイチ |
| 第4著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山中 宏治 / Koji Yamanaka / ヤマナカ コウジ |
| 第5著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-01-27 14:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | ED2016-111, MW2016-187 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.431(ED), no.432(MW) |
| ページ範囲 | pp.81-84 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-01-19 (ED, MW) |
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