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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-01-27 11:26 (La, Gd)-O-F-S及びY-Si-O-N系母体中におけるEu3+発光中心の電荷移動状態 ○岡田将大・石垣 雅（鳥取大）・吉松 良（デンカ）・本間徹生（高輝度光科学研究センター）・大観光徳（鳥取大）  EID2016-44 |
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| 抄録 | （和） | 我々は, Eu3+の電荷移動状態(CTS)によって青色励起・赤色発光を示す新規蛍光体の実現を目指している. CTS励起帯の波長域は母体材料のイオン性－共有結合性の度合いに強く依存することから, 青色励起実現のためには母体探索が重要な鍵となる. 本研究では, (La, Gd)-O-F-S及びY-Si-O-N系母体中におけるCTSについて系統的に調査を行った. その結果, Eu置換サイトの配位環境とCTSによる吸収波長域に強い相関性があることを見出した. また, 母体のバンドギャップとCTSエネルギーにも相関関係があることを示し, 各種母体中におけるCTSエネルギー値を予測できる手段を得た. これらの成果は母体探索の際に重要な指針となる. |
| （英） | Novel red emitting phosphors having a blue excitation and a red emission due to charge transfer state (CTS) of Eu3+ centers have been synthesized. The wavelength region of the CTS excitation band strongly depends on the iconicity / covalency degree of the host materials. In this study, we have systematically investigated the Eu3+ CTS energy in the (La, Gd)-O-F-S and Y-Si-O-N based phosphors. It has been found the strong correlation between the coordination environment around Eu3+ centers and the absorption wavelength range of the CTS. In addition, it has been also found that the band gap energy of the host materials correlates well with the CTS energy. | |
| キーワード | （和） | 電荷移動状態(CTS) / La-O-F-S:Eu3+ / Y-Si-O-N:Eu3+ / / / / / |
| （英） | charge transfer state (CTS) / La-O-F-S:Eu3+ / Y-Si-O-N:Eu3+ / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 430, EID2016-44, pp. 121-124, 2017年1月. | |
| 資料番号 | EID2016-44 | |
| 発行日 | 2017-01-19 (EID) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EID2016-44 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID ITE-IDY IEE-EDD IEIJ-SSL SID-JC |
| 開催期間 | 2017-01-26 - 2017-01-27 |
| 開催地（和） | 徳島大学 |
| 開催地（英） | Tokushima Univ. |
| テーマ（和） | 発光型／非発光型ディスプレイ合同研究会 |
| テーマ（英） | Joint Meeting of Emissive/Non-emissive Displays |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | EID |
| 会議コード | 2017-01-EID-IDY-EDD-SSL-JC |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | (La, Gd)-O-F-S及びY-Si-O-N系母体中におけるEu3+発光中心の電荷移動状態 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Charge transfer state of Eu3+ centers activated in (La, Gd)-O-F-S and Y-Si-O-N |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電荷移動状態(CTS) / charge transfer state (CTS) |
| キーワード(2)（和/英） | La-O-F-S:Eu3+ / La-O-F-S:Eu3+ |
| キーワード(3)（和/英） | Y-Si-O-N:Eu3+ / Y-Si-O-N:Eu3+ |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡田 将大 / Masahiro Okada / オカダ マサヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 鳥取大学 (略称： 鳥取大) Tottori University (略称： Tottori Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石垣 雅 / Tadashi Ishigaki / イシガキ タダシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 鳥取大学 (略称： 鳥取大) Tottori University (略称： Tottori Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉松 良 / Ryo Yoshimatsu / ヨシマツ リョウ |
| 第3著者 所属（和/英） | デンカ株式会社 (略称： デンカ) Denka Company Limited (略称： Denka) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本間 徹生 / Tetsuo Honma / ホンマ テツオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 高輝度光科学研究センター (略称： 高輝度光科学研究センター) Japan Synchrotron Radiation Research Institute (略称： JASRI) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大観 光徳 / Koutoku Ohmi / オオミ コウトク |
| 第5著者 所属（和/英） | 鳥取大学 (略称： 鳥取大) Tottori University (略称： Tottori Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-01-27 11:26:00 |
| 発表時間 | 8分 |
| 申込先研究会 | EID |
| 資料番号 | EID2016-44 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.430 |
| ページ範囲 | pp.121-124 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-01-19 (EID) |
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