| 研究会情報 |
| 研究会 |
MW ED |
| 開催期間 |
2017-01-26 - 2017-01-27 |
| 開催地(和) |
機械振興会館地下2階1号室 |
| 開催地(英) |
Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ(和) |
化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス/マイクロ波一般 |
| テーマ(英) |
Compound Semiconductor IC and High-Speed, High-Frequency Devices / Microwave Technologies |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
ED |
| 会議コード |
2017-01-MW-ED |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル(和) |
Si基板上GaNHEMTの基板中RFリーク電流の温度特性を考慮した物理モデル |
| サブタイトル(和) |
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| タイトル(英) |
Physical model of GaN HEMT on Si including temperature dependence of RF leakage current in substrates |
| サブタイトル(英) |
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| キーワード(1)(和/英) |
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| キーワード(2)(和/英) |
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| キーワード(3)(和/英) |
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| キーワード(8)(和/英) |
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| 第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
山口 裕太郎 / Yutaro Yamaguchi / ヤマグチ ユウタロウ |
| 第1著者 所属(和/英) |
三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric corp.) |
| 第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
新庄 真太郎 / Shintaro Shinjo / シンジョウ シンタロウ |
| 第2著者 所属(和/英) |
三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric corp.) |
| 第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
山中 宏治 / Koji Yamanaka / ヤマナカ コウジ |
| 第3著者 所属(和/英) |
三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric corp.) |
| 第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
大石 敏之 / Toshiyuki Oishi / オオイシ トシユキ |
| 第4著者 所属(和/英) |
佐賀大学 (略称: 佐賀大)
Saga university (略称: Saga univ.) |
| 第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第36著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2017-01-27 13:00:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
ED |
| 資料番号 |
ED2016-107, MW2016-183 |
| 巻番号(vol) |
vol.116 |
| 号番号(no) |
no.431(ED), no.432(MW) |
| ページ範囲 |
pp.57-62 |
| ページ数 |
6 |
| 発行日 |
2017-01-19 (ED, MW) |