| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2017-01-30 14:30
[招待講演]超低消費エネルギーと高集積性を併せ持つ電圧制御スピントロニクスメモリ ~ Ultra-low Energy Consumption High-Density VoCSM ~ ○與田博明・下村尚治・大沢裕一・白鳥聡志・加藤侑志・井口智明・上国裕三・ブヤンダライ アルタンサガイ・斉藤好昭・鴻井克彦・杉山英行・及川壮一・清水真理子・石川瑞恵・池上一隆(東芝) SDM2016-136 |
| 抄録 |
(和) |
TMR効果に加えて新しく二つのスピントロニクス原理を用いた電圧制御スピントロニクスメモリアーキテクチャを提案しました。このアーキテクチャでは、書込みビットの選択に電圧制御磁気異方性効果を、書込み原理としてスピンホール効果を用います。そのプロトタイプ記憶素子を開発し、独特な書込み方式の成立性を実証しました。 |
| (英) |
We propose a new spintronics-based memory employing voltage-control-magnetic-anisotropy effect as a bit selecting principle and spin Hall effect as a writing principle. We have fabricated the prototype structure, and successfully demonstrated the writing scheme specific to this memory architecture. |
| キーワード |
(和) |
スピントロ二クス / 電圧制御磁気異方性 / スピンホール / 高集積 / 低消費 / / / |
| (英) |
spintronics / voltage control anisotropy change / spin Hall / high density / low power / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 116, no. 448, SDM2016-136, pp. 25-28, 2017年1月. |
| 資料番号 |
SDM2016-136 |
| 発行日 |
2017-01-23 (SDM) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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