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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-01-30 13:30 ［招待講演］16/14nmノード以降における高速かつ高信頼性を有する混載フラッシュメモリ向けFinFET Split-Gate MONOS ○津田是文・川嶋祥之・園田賢一郎・吉冨敦司・三原竜善・鳴海俊一・井上真雄・村中誠志・丸山隆弘・山下朋弘・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）・久本 大（日立）  SDM2016-134 |
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| 抄録 | （和） | 世界初のFinFET構造を有するスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリの作製，動作について報告する．FinFET構造による優れたサブスレッショルド特性と閾値電圧ばらつきの改善を確認．また，ソースサイドインジェクション (SSI)での書き込みにおいてステップ昇圧パルス方式を用いる事により，FinFET先端での電界集中が効果的に抑制されることを示した．250K回の書き換えサイクル後，150℃において高いデータ保持能力が確認されており，高度な自動車システム用途への利用が可能である． |
| （英） | FinFET split-gate metal-oxide nitride oxide silicon (SG-MONOS) Flash memories have been fabricated and operated for the first time. Excellent subthreshold characteristics and small threshold-voltage variability owing to a Fin-structure are clarified. It is demonstrated that Fin top-corner effects are well suppressed by incremental step pulse programming for source side injection. Highly reliable data retention at 150 ºC after 250K program/erase cycles is confirmed for advanced automotive system applications. | |
| キーワード | （和） | 混載フラッシュメモリ / スプリットゲートセル / MONOS / FinFET / / / / |
| （英） | embedded Flash memory / split gate cell / MONOS / FinFET / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 448, SDM2016-134, pp. 17-20, 2017年1月. | |
| 資料番号 | SDM2016-134 | |
| 発行日 | 2017-01-23 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2016-134 |
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