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講演抄録/キーワード
講演名 2017-01-30 11:30
[招待講演]サブ10 nm世代負性容量FinFETのデバイスシミュレーション
太田裕之池上 勉服部淳一福田浩一右田真司産総研)・鳥海 明東大SDM2016-133 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2016-133
抄録 (和) サブ10nm 世代の負性容量FinFET(NC-FinFET)のデバイス特性を新開発のtechnology computer-aided design (TCAD) により解析した.このTCADシミュレーションでは負性容量の基礎方程式であるLandau-Khalatnikov (L-K)方程式が3次元FinFETのデバイス方程式と自己無撞着に計算できる.このTCADツールを用いることにより,NC-FinFETではゲート・ドレイン間の容量カップリングにより短チャネル効果耐性が向上し,同じゲートサイズの通常のFinFETに比較して26倍程度の高いエネルギー効率が見込まれることが分かった. 
(英) Subthreshold operation of negative capacitance FinFETs (NC-FinFETs) at sub 10 nm gate length are analyzed with a newly developed technology computer-aided design (TCAD) simulation. This simulation fully couples the Landau-Khalatnikov (L-K) equation with the physical equations for FinFETs in 3-D. It reveals an excellent immunity against short channel effects in NC-FinFETs owing to NC-enhancement by the gate-to-drain coupling, for the first time. NC-FinFETs with a gate length of 10 nm are projected to operate with more than 26 times energy-efficiency of conventional FinFETs.
キーワード (和) 強誘電 / 負性容量 / コンピュータ支援設計 / 低消費 / サブスレショルド / 急峻 / /  
(英) ferroelectric / negative capacitance / technology computer-aided design / low power / subthreshold / steep / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 448, SDM2016-133, pp. 13-16, 2017年1月.
資料番号 SDM2016-133 
発行日 2017-01-23 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2016-133 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2016-133

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2017-01-30 - 2017-01-30 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 先端CMOSデバイス・ プロセス技術(IEDM特集) 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2017-01-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) サブ10 nm世代負性容量FinFETのデバイスシミュレーション 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Fully Coupled 3-D Device Simulation of Negative Capacitance FinFETs for Sub 10 nm Integration 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 強誘電 / ferroelectric  
キーワード(2)(和/英) 負性容量 / negative capacitance  
キーワード(3)(和/英) コンピュータ支援設計 / technology computer-aided design  
キーワード(4)(和/英) 低消費 / low power  
キーワード(5)(和/英) サブスレショルド / subthreshold  
キーワード(6)(和/英) 急峻 / steep  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 太田 裕之 / Hiroyuki Ota / オオタ ヒロユキ
第1著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
The National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 池上 勉 / Tsutomu Ikegami / イケガミ ツトム
第2著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
The National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 服部 淳一 / Junichi Hattori / ハットリ ジュンイチ
第3著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
The National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 福田 浩一 / Koichi Fukuda / フクダ コウイチ
第4著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
The National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 右田 真司 / Shinji Migita / ミギタ シンジ
第5著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
The National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 鳥海 明 / Akira Toriumi / トリウミ アキラ
第6著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: The Univ. of Tokyo)
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講演者 第1著者 
発表日時 2017-01-30 11:30:00 
発表時間 30分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2016-133 
巻番号(vol) vol.116 
号番号(no) no.448 
ページ範囲 pp.13-16 
ページ数
発行日 2017-01-23 (SDM) 


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