講演抄録/キーワード |
講演名 |
2017-01-30 11:30
[招待講演]サブ10 nm世代負性容量FinFETのデバイスシミュレーション ○太田裕之・池上 勉・服部淳一・福田浩一・右田真司(産総研)・鳥海 明(東大) SDM2016-133 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2016-133 |
抄録 |
(和) |
サブ10nm 世代の負性容量FinFET(NC-FinFET)のデバイス特性を新開発のtechnology computer-aided design (TCAD) により解析した.このTCADシミュレーションでは負性容量の基礎方程式であるLandau-Khalatnikov (L-K)方程式が3次元FinFETのデバイス方程式と自己無撞着に計算できる.このTCADツールを用いることにより,NC-FinFETではゲート・ドレイン間の容量カップリングにより短チャネル効果耐性が向上し,同じゲートサイズの通常のFinFETに比較して26倍程度の高いエネルギー効率が見込まれることが分かった. |
(英) |
Subthreshold operation of negative capacitance FinFETs (NC-FinFETs) at sub 10 nm gate length are analyzed with a newly developed technology computer-aided design (TCAD) simulation. This simulation fully couples the Landau-Khalatnikov (L-K) equation with the physical equations for FinFETs in 3-D. It reveals an excellent immunity against short channel effects in NC-FinFETs owing to NC-enhancement by the gate-to-drain coupling, for the first time. NC-FinFETs with a gate length of 10 nm are projected to operate with more than 26 times energy-efficiency of conventional FinFETs. |
キーワード |
(和) |
強誘電 / 負性容量 / コンピュータ支援設計 / 低消費 / サブスレショルド / 急峻 / / |
(英) |
ferroelectric / negative capacitance / technology computer-aided design / low power / subthreshold / steep / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 116, no. 448, SDM2016-133, pp. 13-16, 2017年1月. |
資料番号 |
SDM2016-133 |
発行日 |
2017-01-23 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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