講演抄録/キーワード |
講演名 |
2017-01-31 15:25
ビット密度5.92Mb/mm2を実現したダブルポンピング回路を用いた28nm擬似2RW DP-SRAM ○石井雄一郎・薮内 誠・澤田陽平・森本薫夫・塚本康正(ルネサス エレクトロニクス)・良田雄太・柴田 健・佐野聡明(ルネサス システムデザイン)・田中信二・新居浩二(ルネサス エレクトロニクス) EMD2016-86 MR2016-58 SCE2016-64 EID2016-65 ED2016-129 CPM2016-130 SDM2016-129 ICD2016-117 OME2016-98 エレソ技報アーカイブへのリンク:EMD2016-86 MR2016-58 SCE2016-64 EID2016-65 ED2016-129 CPM2016-130 SDM2016-129 ICD2016-117 OME2016-98 |
抄録 |
(和) |
6TシングルポートSRAMセルとダブルポンピング回路を用いて、2-read/write (2RW)機能を実現した擬似2RWデュアルポートSRAMを提案する。この擬似デュアルポートSRAMは8TデュアルポートSRAMセルを用いた従来型の2RWデュアルポートSRAMより小さなチップ面積とリーク電流を実現する。28nm HK/MGプロセスを用いて512kbit容量のテストチップを試作し、5.92Mbit/mm2のビット密度と760uAの低リーク電流を達成した。このビット密度はこれまで発表された2RWデュアルポートSRAMの中で最も高いものである。 |
(英) |
We propose pseudo dual-port (DP) SRAM by using 6T single-port (SP) SRAM bitcell with double pumping circuitry, which enables 2-read/write (2RW) operation within a clock cycle. We designed and implemented a 512-kb pseudo DP SRAM macro based on 28-nm low-power bulk CMOS technology. Our design achieved the bit density of 5.92 Mb/mm2, which is the highest ever reported. |
キーワード |
(和) |
擬似 / デュアルポート / 2RW / SRAM / 28nm / ダブルポンピング / / |
(英) |
Pseudo / DP / 2RW / SRAM / 28nm / Double pumping / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 116, no. 446, ICD2016-117, pp. 87-92, 2017年1月. |
資料番号 |
ICD2016-117 |
発行日 |
2017-01-23 (EMD, MR, SCE, EID, ED, CPM, SDM, ICD, OME) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
EMD2016-86 MR2016-58 SCE2016-64 EID2016-65 ED2016-129 CPM2016-130 SDM2016-129 ICD2016-117 OME2016-98 エレソ技報アーカイブへのリンク:EMD2016-86 MR2016-58 SCE2016-64 EID2016-65 ED2016-129 CPM2016-130 SDM2016-129 ICD2016-117 OME2016-98 |
研究会情報 |
研究会 |
ICD CPM ED EID EMD MRIS OME SCE |
開催期間 |
2017-01-30 - 2017-01-31 |
開催地(和) |
みやじま杜の宿(広島) |
開催地(英) |
Miyajima-Morino-Yado(Hiroshima) |
テーマ(和) |
回路・デバイス・境界領域技術 |
テーマ(英) |
Circuit, Device and Engineering Science |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
ICD |
会議コード |
2017-01-ICD-CPM-ED-EID-EMD-MR-OME-SCE-SDM-QIT |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
ビット密度5.92Mb/mm2を実現したダブルポンピング回路を用いた28nm擬似2RW DP-SRAM |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
A 5.92-Mb/mm2 28-nm Pseudo 2-Read/Write Dual-Port SRAM Using Double Pumping Circuitry |
サブタイトル(英) |
|
キーワード(1)(和/英) |
擬似 / Pseudo |
キーワード(2)(和/英) |
デュアルポート / DP |
キーワード(3)(和/英) |
2RW / 2RW |
キーワード(4)(和/英) |
SRAM / SRAM |
キーワード(5)(和/英) |
28nm / 28nm |
キーワード(6)(和/英) |
ダブルポンピング / Double pumping |
キーワード(7)(和/英) |
/ |
キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
石井 雄一郎 / Yuichiro Ishii / イシイ ユウイチロウ |
第1著者 所属(和/英) |
ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
薮内 誠 / Makoto Yabuuchi / ヤブウチ マコト |
第2著者 所属(和/英) |
ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
澤田 陽平 / Yohei Sawada / サワダ ヨウヘイ |
第3著者 所属(和/英) |
ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
森本 薫夫 / Masao Morimoto / モリモト マサオ |
第4著者 所属(和/英) |
ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
塚本 康正 / Yasumasa Tsukamoto / ツカモト ヤスマサ |
第5著者 所属(和/英) |
ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics) |
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
良田 雄太 / Yuta Yoshida / ヨシダ ユウタ |
第6著者 所属(和/英) |
ルネサスシステムデザイン株式会社 (略称: ルネサス システムデザイン)
Renesas System Design Co., Ltd. (略称: Renesas System Design) |
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
柴田 健 / Ken Shibata / シバタ ケン |
第7著者 所属(和/英) |
ルネサスシステムデザイン株式会社 (略称: ルネサス システムデザイン)
Renesas System Design Co., Ltd. (略称: Renesas System Design) |
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
佐野 聡明 / Toshiaki Sano / サノ トシアキ |
第8著者 所属(和/英) |
ルネサスシステムデザイン株式会社 (略称: ルネサス システムデザイン)
Renesas System Design Co., Ltd. (略称: Renesas System Design) |
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
田中 信二 / Shinji Tanaka / タナカ シンジ |
第9著者 所属(和/英) |
ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics) |
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
新居 浩二 / Koji Nii / ニイ コウジ |
第10著者 所属(和/英) |
ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics) |
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 所属(和/英) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 所属(和/英) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 所属(和/英) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 所属(和/英) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第17著者 所属(和/英) |
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第18著者 所属(和/英) |
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第19著者 所属(和/英) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 所属(和/英) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2017-01-31 15:25:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
ICD |
資料番号 |
EMD2016-86, MR2016-58, SCE2016-64, EID2016-65, ED2016-129, CPM2016-130, SDM2016-129, ICD2016-117, OME2016-98 |
巻番号(vol) |
vol.116 |
号番号(no) |
no.439(EMD), no.440(MR), no.441(SCE), no.442(EID), no.443(ED), no.444(CPM), no.445(SDM), no.446(ICD), no.447(OME) |
ページ範囲 |
pp.87-92 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2017-01-23 (EMD, MR, SCE, EID, ED, CPM, SDM, ICD, OME) |
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