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講演抄録/キーワード
講演名
2017-02-06 15:35
[招待講演]ビアラスト型TSVの高留まり化のためのウエット洗浄プロセスの開発
○
渡辺直也
(
産総研
)・
菊地秀和
・
柳澤あづさ
(
ラピス
)・
島本晴夫
・
菊地克弥
・
青柳昌宏
(
産総研
)・
中村彰男
(
ラピス
)
SDM2016-145
抄録
(和)
(まだ登録されていません)
(英)
(Not available yet)
キーワード
(和)
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(英)
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文献情報
信学技報, vol. 116, no. 450, SDM2016-145, pp. 35-40, 2017年2月.
資料番号
SDM2016-145
発行日
2017-01-30 (SDM)
ISSN
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
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SDM2016-145
研究会情報
研究会
SDM
開催期間
2017-02-06 - 2017-02-06
開催地(和)
東京大学/本郷
開催地(英)
Tokyo Univ.
テーマ(和)
配線・実装技術と関連材料技術
テーマ(英)
Interconnects, Package and related materials
講演論文情報の詳細
申込み研究会
SDM
会議コード
2017-02-SDM
本文の言語
日本語
タイトル(和)
ビアラスト型TSVの高留まり化のためのウエット洗浄プロセスの開発
サブタイトル(和)
タイトル(英)
Development of a Wet Cleaning Process for High-Yield Formation of via-last TSVs
サブタイトル(英)
キーワード(1)(和/英)
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キーワード(2)(和/英)
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キーワード(3)(和/英)
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キーワード(4)(和/英)
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キーワード(5)(和/英)
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キーワード(6)(和/英)
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キーワード(7)(和/英)
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キーワード(8)(和/英)
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ)
渡辺 直也
/
Naoya Watanabe
/
ワタナベ ナオヤ
第1著者 所属(和/英)
産業技術総合研究所
(略称:
産総研
)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
(略称:
AIST
)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ)
菊地 秀和
/
Hidekazu Kikuchi
/
キクチ ヒデカズ
第2著者 所属(和/英)
ラピスセミコンダクタ株式会社
(略称:
ラピス
)
LAPIS Semiconductor Co., Ltd.
(略称:
LAPIS
)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ)
柳澤 あづさ
/
Azusa Yanagisawa
/
ヤナギサワ アヅサ
第3著者 所属(和/英)
ラピスセミコンダクタ株式会社
(略称:
ラピス
)
LAPIS Semiconductor Co., Ltd.
(略称:
LAPIS
)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ)
島本 晴夫
/
Haruo Shimamoto
/
シマモト ハルオ
第4著者 所属(和/英)
産業技術総合研究所
(略称:
産総研
)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
(略称:
AIST
)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ)
菊地 克弥
/
Katsuya Kikuchi
/
キクチ カツヤ
第5著者 所属(和/英)
産業技術総合研究所
(略称:
産総研
)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
(略称:
AIST
)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ)
青柳 昌宏
/
Masahiro Aoyagi
/
アオヤギ マサヒロ
第6著者 所属(和/英)
産業技術総合研究所
(略称:
産総研
)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
(略称:
AIST
)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ)
中村 彰男
/
Akio Nakamura
/
ナカムラ アキオ
第7著者 所属(和/英)
ラピスセミコンダクタ株式会社
(略称:
ラピス
)
LAPIS Semiconductor Co., Ltd.
(略称:
LAPIS
)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第8著者 所属(和/英)
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第9著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第9著者 所属(和/英)
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第22著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第23著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第24著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第24著者 所属(和/英)
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第25著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第25著者 所属(和/英)
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第26著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第27著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第27著者 所属(和/英)
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第28著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第28著者 所属(和/英)
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第29著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第30著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第31著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第32著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第33著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第34著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第34著者 所属(和/英)
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第35著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第35著者 所属(和/英)
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第36著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第36著者 所属(和/英)
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(略称: )
講演者
第1著者
発表日時
2017-02-06 15:35:00
発表時間
35分
申込先研究会
SDM
資料番号
SDM2016-145
巻番号(vol)
vol.116
号番号(no)
no.450
ページ範囲
pp.35-40
ページ数
6
発行日
2017-01-30 (SDM)
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