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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-03-03 14:15 ハイブリッド直流遮断器の電流遮断時における溶融ブリッジ状態とアークレス遮断の関係 ○山田雄太・陳 黙・中山恭太郎・早川達也・全 俊豪・安岡康一（東工大）  EMD2016-103 |
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| 抄録 | （和） | 近年直流給配電の需要増加に伴い，電気接点と半導体素子を並列に接続したハイブリッド直流遮断器が注目されている。半導体素子として低オン抵抗であるSiC-MOSFETを使用すると，開極した際に接点間に形成される溶融ブリッジ電圧で直流電流が接点から半導体に転流するアークレス遮断が実現できる。本稿では接点開極速度や開極距離を変化させて転流特性を調べ，溶融ブリッジの安定性について検討，考察を行ったので報告する。 |
| （英） | In recent years, with the increase in demand for DC power distribution, hybrid DC circuit breakers in which electrical contacts and semiconductor elements are connected in parallel have attracted attention. When SiC-MOSFET with low on-resistance is used as a semiconductor element, it is possible to realize arc-less interruption in which direct current is commutated from the contact to the semiconductor by the molten bridge voltage formed between the contacts when opening. In this paper, we investigate the commutation characteristics by varying the contact opening speed and the gap length, and investigate and discuss the stability of the molten bridge. | |
| キーワード | （和） | ハイブリッド直流遮断器 / 溶融ブリッジ / SiC-MOSFET / アークレス / 接点間距離 / / / |
| （英） | Hybrid DCCB / Molten bridge / SiC-MOSFET / arcless / gap length / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 492, EMD2016-103, pp. 17-20, 2017年3月. | |
| 資料番号 | EMD2016-103 | |
| 発行日 | 2017-02-24 (EMD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EMD2016-103 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMD |
| 開催期間 | 2017-03-03 - 2017-03-03 |
| 開催地（和） | 千葉工業大学 津田沼キャンパス 6号館６１２講義室 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | ショートノート （卒論・修論特集） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | EMD |
| 会議コード | 2017-03-EMD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ハイブリッド直流遮断器の電流遮断時における溶融ブリッジ状態とアークレス遮断の関係 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Relationship of molten bridge and arcless commutation during current interruption of Hybrid DCCB |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ハイブリッド直流遮断器 / Hybrid DCCB |
| キーワード(2)（和/英） | 溶融ブリッジ / Molten bridge |
| キーワード(3)（和/英） | SiC-MOSFET / SiC-MOSFET |
| キーワード(4)（和/英） | アークレス / arcless |
| キーワード(5)（和/英） | 接点間距離 / gap length |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山田 雄太 / Yuta Yamada / |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Titech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 陳 黙 / Chen Mo / |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Titech) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中山 恭太郎 / Kyotaro Nakayama / |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Titech) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 早川 達也 / Tatsuya Hayakawa / |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Titech) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 全 俊豪 / Shungo Zen / |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Titech) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安岡 康一 / Koichi Yasuoka / |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Titech) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-03-03 14:15:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | EMD |
| 資料番号 | EMD2016-103 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.492 |
| ページ範囲 | pp.17-20 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-02-24 (EMD) |
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