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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-04-20 13:00 300℃プロセスによって形成した自己整合四端子Cu-MIC poly-Ge TFTの開発 ○内海大樹・佐々木大精・関口竣也・竹内翔弥・原 明人（東北学院大）  SDM2017-1 OME2017-1 |
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| 抄録 | （和） | IoTやトリリオンセンサ社会の実現に向けてフレキシブルデバイスやウェアラブルデバイスに対する期待が高まっている. これを実現するためにはプラスチック基板上に電子回路やセンサを実現していく必要がある.我々は, 銅(Cu)による金属誘起固相成長(MIC)を利用することによって, 300 ℃プロセスでガラス基板上に自己整合４端子Cu-MIC 多結晶ゲルマニウム薄膜トランジスタを作成し, ダブルゲート動作および４端子動作を確認した。 |
| （英） | Flexible devices and wearable devices are receiving more attention due to their contributions in realizing the Internet of Things and the Trillion Sensor Society. The fabrication of electronic systems and sensors on plastic substrates is necessary to realize the objectives of the society. In this paper, we demonstrate a four-terminal (4T) poly-Ge thin-film transistor fabricated at a temperature of 300 °C on a glass substrate. We used three key technologies: a self-aligned planar metal double-gate structure to reduce the off-current; metal induced crystallization using copper to fabricate the poly-Ge film at 300 °C; and aluminum induced lateral metallization source drain (Al-LM-SD) at 300 °C to achieve a low resistance metallic-like SD. The successful operations of the 4T structures was confirmed. | |
| キーワード | （和） | 薄膜トランジスタ / ゲルマニウム / 多結晶ゲルマニウム / 金属誘起固相成長 / 固相成長 / ダブルゲート / ４端子 / |
| （英） | TFT / Germanium / Ge / poly-Ge / MIC / Cu-MIC / four terminal / double gate | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 7, SDM2017-1, pp. 1-4, 2017年4月. | |
| 資料番号 | SDM2017-1 | |
| 発行日 | 2017-04-13 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2017-1 OME2017-1 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME SDM |
| 開催期間 | 2017-04-20 - 2017-04-21 |
| 開催地（和） | 龍郷町生涯学習センター |
| 開催地（英） | Tatsugochou Shougaigakushuu Center |
| テーマ（和） | 有機エレクトロニクス、シリコンデバイス、バイオテクノロジー、新規機能性材料、薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス、材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Organic molecular devices, silicon device, biotechnology, thin film device, novel material, evaluation method, etc |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2017-04-OME-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 300℃プロセスによって形成した自己整合四端子Cu-MIC poly-Ge TFTの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Self-aligned four-terminal Cu-MIC poly-Ge TFTs fabricated at 300℃ on Glass Substare |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 薄膜トランジスタ / TFT |
| キーワード(2)（和/英） | ゲルマニウム / Germanium |
| キーワード(3)（和/英） | 多結晶ゲルマニウム / Ge |
| キーワード(4)（和/英） | 金属誘起固相成長 / poly-Ge |
| キーワード(5)（和/英） | 固相成長 / MIC |
| キーワード(6)（和/英） | ダブルゲート / Cu-MIC |
| キーワード(7)（和/英） | ４端子 / four terminal |
| キーワード(8)（和/英） | / double gate |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 内海 大樹 / Hiroki Utsumi / ウツミ ヒロキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐々木 大精 / Taisei Sasaki / ササキ タイセイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 関口 竣也 / Shunya Sekiguchi / セキグチ シュンヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 翔弥 / Shoya Takeuchi / タケウチ ショウヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原 明人 / Akito Hara / ハラ アキト |
| 第5著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-04-20 13:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2017-1, OME2017-1 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.7(SDM), no.8(OME) |
| ページ範囲 | pp.1-4 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-04-13 (SDM, OME) |
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