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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-05-26 09:55 水溶液浸漬による4H-SiC(0001)Si面における表面再結合の抑制 ○加藤正史・市川義人・市村正也（名工大）・木本恒暢（京大）  ED2017-24 CPM2017-10 SDM2017-18 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2017-24 CPM2017-10 SDM2017-18 |
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| 抄録 | （和） | 表面再結合はバイポーラSiCデバイスおよびSiC光触媒の性能に影響する因子の一つであるが、その速度を制御する手法は十分に確立されていない。そこで本研究では、水溶液中で4H-SiCの表面再結合速度を測定することで、SiCにおける表面制御手法確立の一助とすることを目指した。その結果、酸性水溶液中では4H-SiC(0001)Si面の表面再結合が抑制されることが明らかになった。 |
| （英） | Although surface recombination is one of the factors that affects the performance of bipolar SiC devices and SiC photocatalysts, the method of controlling the speed is not well established. In this study, we aimed to establish a surface control method in SiC by measuring the surface recombination velocity of 4H-SiC in aqueous solution. As a result, the surface recombination of the 4H-SiC (0001) Si-face is suppressed in the acidic aqueous solution. | |
| キーワード | （和） | SiC / 表面再結合 / 水溶液 / / / / / |
| （英） | SiC / surface recombination / aqueous solution / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 58, ED2017-24, pp. 51-54, 2017年5月. | |
| 資料番号 | ED2017-24 | |
| 発行日 | 2017-05-18 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2017-24 CPM2017-10 SDM2017-18 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2017-24 CPM2017-10 SDM2017-18 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED CPM |
| 開催期間 | 2017-05-25 - 2017-05-26 |
| 開催地（和） | 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya University |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2017-05-SDM-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 水溶液浸漬による4H-SiC(0001)Si面における表面再結合の抑制 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Suppression of surface recombination at the 4H-SiC (0001) Si-face by immersing aqueous solutions |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(2)（和/英） | 表面再結合 / surface recombination |
| キーワード(3)（和/英） | 水溶液 / aqueous solution |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 正史 / Masashi Kato / カトウ マサシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NITech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 市川 義人 / Yoshihito Ichikawa / イチカワ ヨシヒト |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NITech) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 市村 正也 / Masaya Ichimura / イチムラ マサヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NITech) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木本 恒暢 / Tsunenobu Kimoto / キモト ツネノブ |
| 第4著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-05-26 09:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2017-24, CPM2017-10, SDM2017-18 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.58(ED), no.59(CPM), no.60(SDM) |
| ページ範囲 | pp.51-54 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-05-18 (ED, CPM, SDM) |
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