講演抄録/キーワード |
講演名 |
2017-05-26 09:50
光励起したシリコンにおけるテラヘルツパルスの伝播 ○守安 毅・笹島秀樹(福井大)・河本敏郎(神戸大)・北原英明・谷 正彦・熊倉光孝(福井大) エレソ技報アーカイブへのリンク:LQE2017-11 |
抄録 |
(和) |
テラヘルツ分光はキャリアのダイナミクスを直接観測することに適した分光法である.また半導体は光励起によってキャリア濃度を自由に変えることができる.本研究では、光キャリアダイナミクスの解明に向け光ポンプ・テラヘルツプローブ測定装置を構築し,真性半導体シリコンを対象に測定を行った.構築した測定装置を用いて観測された光励起によるテラヘルツパルスのピークのシフトのメカニズムはドルーデモデルを使うことによって定性的に説明することができる. |
(英) |
Terahertz spectroscopy is a suitable method for direct observation of carrier dynamics. In addition, the carrier concentration in semiconductor can be briefly changed by photo excitation. In this study, we built and aligned the optical pump-terahertz probe spectroscopy system for the elucidation of carrier dynamics, and measured the carrier dynamics of Si. The peak shift of the terahertz pulse is observed in the photo-excited Si. This phenomenon can be qualifiedly described by Drude model. |
キーワード |
(和) |
テラヘルツ / 半導体 / キャリアダイナミクス / ドルーデモデル / 光励起・テラヘルツプローブ / / / |
(英) |
terahertz / semiconductor / carrier dynamics / Drude model / optical pump-terahertz probe / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 117, pp. 45-48, 2017年5月. |
資料番号 |
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発行日 |
2017-05-18 (LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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