| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2017-05-26 09:30
GaSb/Si(111)-√3×√3-Ga表面相上へのInGaSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長 モハマド モンズール・○森 雅之・下山浩哉・前澤宏一(富山大) ED2017-23 CPM2017-9 SDM2017-17 |
| 抄録 |
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| キーワード |
(和) |
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| 文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 58, ED2017-23, pp. 45-49, 2017年5月. |
| 資料番号 |
ED2017-23 |
| 発行日 |
2017-05-18 (ED, CPM, SDM) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
ED2017-23 CPM2017-9 SDM2017-17 |
| 研究会情報 |
| 研究会 |
SDM ED CPM |
| 開催期間 |
2017-05-25 - 2017-05-26 |
| 開催地(和) |
名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) |
| 開催地(英) |
VBL, Nagoya University |
| テーマ(和) |
結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 |
| テーマ(英) |
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| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
ED |
| 会議コード |
2017-05-SDM-ED-CPM |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル(和) |
GaSb/Si(111)-√3×√3-Ga表面相上へのInGaSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長 |
| サブタイトル(和) |
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| タイトル(英) |
Heteroepitaxial Growth of InGaSb Thin Films on GaSb/Si(111)-√3×√3-Ga Surface Phase |
| サブタイトル(英) |
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| キーワード(1)(和/英) |
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| 第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
モハマド モンズール / Md.Monzur-ul-akhir / モハマド モンズール |
| 第1著者 所属(和/英) |
富山大学 (略称: 富山大)
University of Toyama (略称: Univ. of Toyama) |
| 第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
森 雅之 / Masayuki Mori / モリ マサユキ |
| 第2著者 所属(和/英) |
富山大学 (略称: 富山大)
University of Toyama (略称: Univ. of Toyama) |
| 第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
下山 浩哉 / Hiroya Shimoyama / シモヤマ ヒロヤ |
| 第3著者 所属(和/英) |
富山大学 (略称: 富山大)
University of Toyama (略称: Univ. of Toyama) |
| 第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
前澤 宏一 / Koichi Maezawa / マエザワ コウイチ |
| 第4著者 所属(和/英) |
富山大学 (略称: 富山大)
University of Toyama (略称: Univ. of Toyama) |
| 第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 講演者 |
第2著者 |
| 発表日時 |
2017-05-26 09:30:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
ED |
| 資料番号 |
ED2017-23, CPM2017-9, SDM2017-17 |
| 巻番号(vol) |
vol.117 |
| 号番号(no) |
no.58(ED), no.59(CPM), no.60(SDM) |
| ページ範囲 |
pp.45-49 |
| ページ数 |
5 |
| 発行日 |
2017-05-18 (ED, CPM, SDM) |