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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-06-20 16:50 エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成 ○伊藤公一・大田晃生・黒澤昌志・洗平昌晃・池田弥央・牧原克典・宮崎誠一（名大）  SDM2017-30 |
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| 抄録 | （和） | 卓越した電子物性が理論予測されているSiやGeなどのIV族元素の二次元結晶を作成することを目指し、SiやGeと共晶反応を示すAgを用いて、下地基板からSiやGeを熱拡散させ、Ag表面に析出することで、二次元結晶を合成する方法を探究した。具体的には、Si(111)、SiGe(111)、およびGe(111)に形成したAgの化学構造と表面の安定性を調べるとともに、熱処理による表面平坦化と元素析出について系統的に調べた。450℃で熱処理したAg/Ge(111)では、表面に特徴的な三回対称構造がAFM像より認められ、原子数層の極薄Ge膜を極平坦なAg上に形成できたことを光電子分光分析により明らかにした。 |
| （英） | Two dimensional (2D) honeycomb crystals such as silicene and germanene are currently receiving much attention because of its exceptional electronic properties. We have studied the growth of such 2D crystals using the segregation of Si (or Ge) on the Ag surface by the annealing of Ag/Si(or SiGe, Ge) structure. An Ag(111) layer was epitaxially grown on Si(111), Ge(111), and SiGe(111) substrate by thermal evaporation, and the chemical and thermal stability of Ag surface were systematically evaluated to get the atomically flat Ag surface. After the annealing of Ag/Ge(111) structure at 450℃ in N2 ambience, segration of Ge atoms with an average thickness of bi-layer on the atomically flat Ag surface were observed from the analyses of AFM and HAXPES measurements. | |
| キーワード | （和） | 2次元結晶 / IV族半導体 / 原子間力顕微鏡 / X線光電子分光 / / / / |
| （英） | Two Dimensional Crystal / Group-IV Semiconductor / Atomic Force Microscope / X-ray Photoelectron Spectroscopy / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 101, SDM2017-30, pp. 43-48, 2017年6月. | |
| 資料番号 | SDM2017-30 | |
| 発行日 | 2017-06-13 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2017-30 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2017-06-20 - 2017-06-20 |
| 開催地（和） | キャンパス・イノベーションセンター東京 ５０８（AB) |
| 開催地（英） | Campus Innovation Center Tokyo |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2017-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of Ultrathin Crystalline Structure of Group-IV Elements on Epitaxial Ag(111) Surface |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 2次元結晶 / Two Dimensional Crystal |
| キーワード(2)（和/英） | IV族半導体 / Group-IV Semiconductor |
| キーワード(3)（和/英） | 原子間力顕微鏡 / Atomic Force Microscope |
| キーワード(4)（和/英） | X線光電子分光 / X-ray Photoelectron Spectroscopy |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 公一 / Koichi Ito / イトウ コウイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大田 晃生 / Akio Ohta / オオタ アキオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 黒澤 昌志 / Masashi Kurosawa / クロサワ マサシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 洗平 昌晃 / Masaaki Araidai / アライダイ マサアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池田 弥央 / Mitsuhisa Ikeda / イケダ ミツヒサ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 牧原 克典 / Katsunori Makihara / マキハラ カツノリ |
| 第6著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮崎 誠一 / Seiichi Miyazaki / ミヤザキ セイイチ |
| 第7著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-06-20 16:50:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2017-30 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.101 |
| ページ範囲 | pp.43-48 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-06-13 (SDM) |
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