| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2017-07-26 15:15
内部抵抗の大きい電源によるマイクロコントローラV850の動作 ○畔上佳太・天野英晴(慶大) CPSY2017-21 |
| 抄録 |
(和) |
半導体チップの小型化・高性能化によって、高性能大消費電力のサーバー用チップから末端のセンサノードに至るまで、デジタルデバイスが活用される場は広がり続けている。更に様々な場所で使えるように、センサノードなどでデータ加工などを行うプロセッサを太陽光や振動などの自然再生エネルギーで動作させることが望まれる。しかし太陽電池などの不安定な電源は内部抵抗が大きく、利用先が限られていた。日本の国家プロジェクト LEAP より開発された SOTB テクノロジは低電力・低電圧を特徴としたトランジスタで、ボディバイアスによるリーク電力の抑制効果が高い。これによって不安定で内部抵抗の大きい電源でも運用可能になる。自然再生エネルギーを用いる場合、電源電圧やボディバイアスの最適化に用いられる従来の式をそのまま適用することは、その大きな内部抵抗から難しい。よって本研究ではこの内部抵抗を考慮した電源電圧・ボディバイアス最適化手法について考察し、その結果をマイクロコントローラの実チップ測定と比較して、どの程度適用可能か解析した。 |
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| キーワード |
(和) |
自然エネルギー / 低電力 / マイクロコントローラ / ボディバイアス / / / / |
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| 文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 153, CPSY2017-21, pp. 31-36, 2017年7月. |
| 資料番号 |
CPSY2017-21 |
| 発行日 |
2017-07-19 (CPSY) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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