お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2017-07-31 10:40
SOTBプロセスによるIoT向け低消費電力混載SRAMの開発
藪内 誠新居浩二田中信二ルネサス エレクトロニクス)・篠崎義弘日本システムウエア)・山本芳樹長谷川拓実新川田裕樹蒲原史朗ルネサス エレクトロニクスSDM2017-33 ICD2017-21 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2017-33 ICD2017-21
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
(英) (Not available yet)
キーワード (和) / / / / / / /  
(英) / / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 167, ICD2017-21, pp. 13-16, 2017年7月.
資料番号 ICD2017-21 
発行日 2017-07-24 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2017-33 ICD2017-21 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2017-33 ICD2017-21

研究会情報
研究会 SDM ICD ITE-IST  
開催期間 2017-07-31 - 2017-08-02 
開催地(和) 北海道大学情報教育館 
開催地(英) Hokkaido-Univ. Multimedia Education Bldg. 
テーマ(和) アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用  
テーマ(英) Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2017-07-SDM-ICD-IST 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) SOTBプロセスによるIoT向け低消費電力混載SRAMの開発 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A 65 nm 1.0V 1.84ns Silicon-on-Thin-Box (SOTB) Embedded SRAM with 13.72 nW/Mbit Standby Power for Smart IoT 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) /  
キーワード(2)(和/英) /  
キーワード(3)(和/英) /  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 藪内 誠 / Makoto Yabuuchi / ヤブウチ マコト
第1著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 新居 浩二 / Koji Nii / ニイ コウジ
第2著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 田中 信二 / Shinji Tanaka / タナカ シンジ
第3著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 篠崎 義弘 / Shinozaki Yoshihiro / シノザキ ヨシヒロ
第4著者 所属(和/英) 日本システムウエア株式会社 (略称: 日本システムウエア)
Nippon Systemware Co. Ltd., (略称: Nippon Systemware)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 芳樹 / Yoshiki Yamamoto / ヤマモト ヨシキ
第5著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 長谷川 拓実 / Takumi Hasegawa / ハセガワ タクミ
第6著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 新川田 裕樹 / Hiroki Shinkawata / シンカワタ ヒロキ
第7著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 蒲原 史朗 / Shiro Kamohara / カモハラ シロウ
第8著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2017-07-31 10:40:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ICD 
資料番号 SDM2017-33, ICD2017-21 
巻番号(vol) vol.117 
号番号(no) no.166(SDM), no.167(ICD) 
ページ範囲 pp.13-16 
ページ数
発行日 2017-07-24 (SDM, ICD) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会