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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-08-01 09:45 不揮発情報一括書き込み・読み出し可能な初期値確定SRAM ○水谷朋子・竹内 潔・更屋拓哉（東大）・篠原尋史（早大）・小林正治・平本俊郎（東大）  SDM2017-38 ICD2017-26 |
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| 抄録 | （和） | 通常のSRAMアレイを利用した一括書き込み・読み出し可能な不揮発性メモリを提案する．記憶させたい情報を反転してからセルに書き込んだ後に，電源端子にストレスを印加することで，全アレイに一括不揮発書き込みを実現する．書き込んだ不揮発データは，電源投入直後の初期データとして自動的にSRAMアレイに読み出すことができるので，このSRAMは初期値確定SRAMとして動作する．本研究では，0.18μm技術で作製したデバイスマトリックスアレイ (DMA) TEGを用い，2kビットの不揮発書き込みができることを確認した． |
| （英） | A technique for using an ordinary SRAM array for programmable and readable non-volatile (NV) memory is proposed. Parallel NV writing of the entire array is achieved by simply applying high-voltage stress to the power supply terminal, after storing inverted desired data in the SRAM array. On ramping up power supply voltage, the NV data will be automatically recalled into the SRAM array. Successful 2kbit NV writing is demonstrated using a device-matrix-array (DMA) TEG fabricated by 0.18μm technology. | |
| キーワード | （和） | 不揮発性メモリ / ワンタイム・プログラマブル・メモリ / CMOS / SRAM / / / / |
| （英） | non-volatile memory / one-time programmable memory / CMOS / SRAM / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 166, SDM2017-38, pp. 49-54, 2017年7月. | |
| 資料番号 | SDM2017-38 | |
| 発行日 | 2017-07-24 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2017-38 ICD2017-26 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ICD ITE-IST |
| 開催期間 | 2017-07-31 - 2017-08-02 |
| 開催地（和） | 北海道大学情報教育館 |
| 開催地（英） | Hokkaido-Univ. Multimedia Education Bldg. |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2017-07-SDM-ICD-IST |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 不揮発情報一括書き込み・読み出し可能な初期値確定SRAM |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Parallel Programming of Non-volatile Power-up States of SRAM |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 不揮発性メモリ / non-volatile memory |
| キーワード(2)（和/英） | ワンタイム・プログラマブル・メモリ / one-time programmable memory |
| キーワード(3)（和/英） | CMOS / CMOS |
| キーワード(4)（和/英） | SRAM / SRAM |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水谷 朋子 / Tomoko Mizutani / ミズタニ トモコ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 潔 / Kiyoshi Takeuchi / タケウチ キヨシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 更屋 拓哉 / Takuya Saraya / サラヤ タクヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 篠原 尋史 / Hirofumi Shinohara / シノハラ ヒロフミ |
| 第4著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 正治 / Masaharu Kobayashi / コバヤシ マサハル |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロウ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-08-01 09:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2017-38, ICD2017-26 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.166(SDM), no.167(ICD) |
| ページ範囲 | pp.49-54 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-07-24 (SDM, ICD) |
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