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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-10-25 15:20 化学酸化膜を用いたAr/H2熱処理によるSi表面原子レベル平坦化とHf系MONOS構造への応用 ○工藤聡也・大見俊一郎（東工大）  SDM2017-52 |
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| 抄録 | （和） | 従来の浮遊ゲート型に代わる不揮発性メモリとして、MONOS型不揮発性メモリが注目されている。MONOS型不揮発性メモリの低電圧動作化において、トンネル層/Si基板界面の平坦性が重要となっている。これまで本研究では、電気炉を用いたAr/H2熱処理によるSi(100)表面の原子レベル平坦化プロセスの検討を行い、Si表面の原子ステップの形成を実現したが、数um周期のラフネスがみられるという課題があった。本報告では、H2O2により化学酸化膜(0.7 nm)をSi(100)表面に形成後にAr/4%H2混合ガス雰囲気中で熱処理することで、原子ステップと同時に形成される数um周期の表面ラフネスを抑制できることを明らかにした。 |
| （英） | MONOS type nonvolatile memory is a promising candidate to replace the floating gate type nonvolatile memory (NVM). It was found that interface roughness at the tunneling layer/Si substrate significantly affects the low voltage operation of MONOS NVM. In our previous reports, the atomic steps were realized by annealing in Ar/H2 ambient, while the surface roughness with a few um periodic was also formed. In this report, we have investigated the effect of the chemical oxide (0.7 nm) formed on p-Si(100) by immersing in H2O2 for the flattening process in Ar/4%H2 ambient. It was revealed that the periodic surface roughness formation was suppressed by chemical oxide passivation process. | |
| キーワード | （和） | Si / 原子レベル平坦化プロセス / Ar/H2 / Hf / MONOS型不揮発性メモリ / / / |
| （英） | Si / atomically flattening process / Ar/H2 / Hf / MONOS type nonvolatile memory / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 260, SDM2017-52, pp. 15-19, 2017年10月. | |
| 資料番号 | SDM2017-52 | |
| 発行日 | 2017-10-18 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2017-52 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2017-10-25 - 2017-10-26 |
| 開催地（和） | 東北大学未来研 |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2017-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 化学酸化膜を用いたAr/H2熱処理によるSi表面原子レベル平坦化とHf系MONOS構造への応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Si surface atomically flattening process with chemical oxide passivation for Ar/H2 annealing and Hf-based MONOS device application |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si / Si |
| キーワード(2)（和/英） | 原子レベル平坦化プロセス / atomically flattening process |
| キーワード(3)（和/英） | Ar/H2 / Ar/H2 |
| キーワード(4)（和/英） | Hf / Hf |
| キーワード(5)（和/英） | MONOS型不揮発性メモリ / MONOS type nonvolatile memory |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 工藤 聡也 / Sohya Kudoh / クドウ ソウヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大見 俊一郎 / Shun-ichiro Ohmi / オオミ シュンイチロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-10-25 15:20:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2017-52 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.260 |
| ページ範囲 | pp.15-19 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2017-10-18 (SDM) |
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