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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-10-25 14:00 ［招待講演］段差ゼロの平坦化技術: CMP前のPMD体積調整 ○掛川智康・二瀬卓也（サンディスク）  SDM2017-50 |
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| 抄録 | （和） | 本平坦化技術では, コンタクト開孔露光前のPMD段差ゼロを試みた. 孔の微細化が進むに連れて従来のチップ内のPMD段差 (80 nm程度)が, 露光時の焦点ずれに起因して開孔不良を著しく増加させたからである. 段差ゼロの方法は, 回路パターンによって生じるPMD体積の異なる領域に対して, エッチング工程の追加によりPMD体積を均一とした上で, CMP処理を行うものである. その結果, チップ内のPMD段差は, 8 nm (PMD膜厚に対して約1.0%の段差)であり, これは従来の平坦化技術の1/10の段差であった. かつ, ウェハ面内のPMD膜厚の均一性は, 約2.0であった. これにより, コンタクト(孔径: 約50 × 110 nm, 孔の深さ: 620 nm)開孔不良が低減され, それは, 従来の平坦化技術と比べて, 1/1000程度であった. |
| （英） | We achieved excellent planarization for a pre-metal dielectric (PMD) layer regardless of its pattern density distribution by making the distribution uniform before chemical mechanical polishing (CMP) without any stopper layer. The distribution control was done by lithography using a checkered reticle on the high-density PMD area followed by etching of the PMD layer to uniformize the CMP rate at both areas. After this planarization, the PMD layer was flattened in the local and global regions. The PMD step-height within chip was approximately 8 nm (approx. 1% of PMD height), which is a variation of less than one tenth compared with conventional planarization, and the non-uniformity of PMD thickness within wafer was approximately 2%. The planarized PMD layer suppressed the defocusing in lithography for contact hole formation on the layer, thus dramatically reducing contact-open failures in a chip of approximately 50 × 110 nm in diameter with 620-nm-high contact holes. The number of defects was one-thousandth that of a conventionally planarized PMD layer. |
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| キーワード | （和） | 原子間力顕微鏡 (AFM) / 化学機械研磨法 (CMP) / コンタクト / 密度分布 / 平坦化 / 層間絶縁膜 (PMD) / 電位コントラスト検査 (VC) / |
| （英） | Atomic force microscopy (AFM) / chemical mechanical polishing (CMP) / contact / density distribution / planarization / pre-metal dielectric (PMD) / voltage contrast(VC) / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 260, SDM2017-50, pp. 1-7, 2017年10月. | |
| 資料番号 | SDM2017-50 | |
| 発行日 | 2017-10-18 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2017-50 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2017-10-25 - 2017-10-26 |
| 開催地（和） | 東北大学未来研 |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2017-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 段差ゼロの平坦化技術: CMP前のPMD体積調整 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Zero-step-height planarization: Controlling PMD volume before CMP |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 原子間力顕微鏡 (AFM) / Atomic force microscopy (AFM) |
| キーワード(2)（和/英） | 化学機械研磨法 (CMP) / chemical mechanical polishing (CMP) |
| キーワード(3)（和/英） | コンタクト / contact |
| キーワード(4)（和/英） | 密度分布 / density distribution |
| キーワード(5)（和/英） | 平坦化 / planarization |
| キーワード(6)（和/英） | 層間絶縁膜 (PMD) / pre-metal dielectric (PMD) |
| キーワード(7)（和/英） | 電位コントラスト検査 (VC) / voltage contrast(VC) |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 掛川 智康 / Tomoyasu Kakegawa / カケガワ トモヤス |
| 第1著者 所属（和/英） | サンディスク株式会社 (略称： サンディスク) SanDisk Limited (略称： SanDisk) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 二瀬 卓也 / Takuya Futase / フタセ タクヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | サンディスク株式会社 (略称： サンディスク) SanDisk Limited (略称： SanDisk) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-10-25 14:00:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2017-50 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.260 |
| ページ範囲 | pp.1-7 |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | 2017-10-18 (SDM) |
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