| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2017-10-26 13:55
シリコンフィールドエミッタアレイのレーザ支援電界電子放射特性 ○嶋脇秀隆(八戸工大)・長尾昌善(産総研)・根尾陽一郎・三村秀典(静岡大)・高井幹夫(阪大) ED2017-37 |
| 抄録 |
(和) |
p型半導体エミッタは、金属エミッタと異なり、光感受性に優れるため、バンドギャップ以上の低エネルギーレーザを用いて短パルス電子ビームの高量子効率発生が可能である。これまで、レーザ照射による先鋭な金属先端からの電子放出プロセスにつては、光電界の強度や偏光の影響等について詳細な検討がなされているが、半導体エミッタについては報告例が少ない。本報告では、極微ゲート孔のボルケーノ構造シリコンエミッタアレイにおける偏光依存性について評価した。 |
| (英) |
We present an experimental study of laser-induced electron emission from gated silicon field emitter arrays with submicron gate opening. The emission current showed linear dependence on laser power and the polarization dependence of the emission process was clearly observed. We find indicate that the current pulses from our devices are created by photo-field emission process dominantly. |
| キーワード |
(和) |
シリコンフィールドエミッタアレイ / 光支援電界電子放出 / 変調電子ビーム / ボルケーノ構造 / / / / |
| (英) |
Si-FEA / photoassisted electron emission / modulated electron beam / volcano-structure / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 267, ED2017-37, pp. 5-8, 2017年10月. |
| 資料番号 |
ED2017-37 |
| 発行日 |
2017-10-19 (ED) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
ED2017-37 |
| 研究会情報 |
| 研究会 |
ED |
| 開催期間 |
2017-10-26 - 2017-10-27 |
| 開催地(和) |
東北大学電気通信研究所本館6階大会議室 |
| 開催地(英) |
|
| テーマ(和) |
電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術 |
| テーマ(英) |
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| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
ED |
| 会議コード |
2017-10-ED |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル(和) |
シリコンフィールドエミッタアレイのレーザ支援電界電子放射特性 |
| サブタイトル(和) |
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| タイトル(英) |
Photoassisted field emission properties of gated silicon field emitter arrays |
| サブタイトル(英) |
|
| キーワード(1)(和/英) |
シリコンフィールドエミッタアレイ / Si-FEA |
| キーワード(2)(和/英) |
光支援電界電子放出 / photoassisted electron emission |
| キーワード(3)(和/英) |
変調電子ビーム / modulated electron beam |
| キーワード(4)(和/英) |
ボルケーノ構造 / volcano-structure |
| キーワード(5)(和/英) |
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| キーワード(6)(和/英) |
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| キーワード(7)(和/英) |
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| キーワード(8)(和/英) |
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| 第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
嶋脇 秀隆 / Hidetaka Shimawaki / シマワキ ヒデタカ |
| 第1著者 所属(和/英) |
八戸工業大学 (略称: 八戸工大)
Hachinohe Institute of Technology (略称: Hachinohe Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
長尾 昌善 / Masayoshi Nagao / ナガオ マサヨシ |
| 第2著者 所属(和/英) |
産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST) |
| 第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
根尾 陽一郎 / Yoichiro Neo / ネオ ヨウイチロウ |
| 第3著者 所属(和/英) |
静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.) |
| 第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
三村 秀典 / Hidenori Mimura / ミムラ ヒデノリ |
| 第4著者 所属(和/英) |
静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.) |
| 第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
高井 幹夫 / Mikio Takai / タカイ ミキオ |
| 第5著者 所属(和/英) |
大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.) |
| 第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2017-10-26 13:55:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
ED |
| 資料番号 |
ED2017-37 |
| 巻番号(vol) |
vol.117 |
| 号番号(no) |
no.267 |
| ページ範囲 |
pp.5-8 |
| ページ数 |
4 |
| 発行日 |
2017-10-19 (ED) |