講演抄録/キーワード |
講演名 |
2017-10-26 11:40
中赤外波長帯発光・受光デバイスのためのIII-V族、IV族結晶成長技術 ○荒井昌和・吉元圭太・山形勇也・藤原由生・高橋 翔(宮崎大)・藤澤 剛(北大)・前田幸治(宮崎大) OCS2017-40 OPE2017-72 LQE2017-45 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2017-72 LQE2017-45 |
抄録 |
(和) |
中赤外波長帯域は多数のガスの光吸収線があり、高性能な半導体レーザ、受光素子ができれば小型で高感度なガスセンシングが可能となる。さらに将来の光集積センシングデバイスを目指して、III-V族およびIV族の中赤外発光、受光材料を研究している。今回はInAs/GaAsSb Type-II超格子を有機金属気相成長した際の残留ガスによる組成の変化およびフォトルミネッセンスについて報告する。またIV族のGeSn材料とIII-V族との一括成長の検討について報告する。 |
(英) |
Mid infrared wavelength has attracted for gas sensing and new band fiber optic devices. We developed MOVPE growth for Sb-contained III-V materials and group IV materials. Photoluminescence was measured at 2 to 5-micron band using InAs-GaAsSb type-II super lattice. |
キーワード |
(和) |
MOVPE / 半導体レーザ / 光センシング / / / / / |
(英) |
MOVPE / Semiconductor laser / Optical sensing / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 265, LQE2017-45, pp. 25-28, 2017年10月. |
資料番号 |
LQE2017-45 |
発行日 |
2017-10-19 (OCS, OPE, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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