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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-11-09 15:40 ［招待講演］深いトラップを含むGaN MOSキャパシタ容量のシミュレーション ○福田浩一・浅井栄大・服部淳一・清水三聡（産総研）・橋詰 保（北大）  SDM2017-66 |
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| 抄録 | （和） | 深いトラップ準位を含むGaN MOSキャパシタの容量をtransientモードで解析する手法を検証し，周波数分散など各非理想的な容量特性が得られ、有効なツールとなることを確認した． |
| （英） | Transient mode device simulation is applied to obtain capacitances of GaN MOS capacitors including deep level traps, and is successful to simulate various unideal C-V curves arising from the traps. | |
| キーワード | （和） | GaN / MOS / デバイスシミュレーション / トラップ / 容量 / / / |
| （英） | GaN / MOS / Device Simulation / trap / capacitance / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 290, SDM2017-66, pp. 27-32, 2017年11月. | |
| 資料番号 | SDM2017-66 | |
| 発行日 | 2017-11-02 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2017-66 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2017-11-09 - 2017-11-10 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2017-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 深いトラップを含むGaN MOSキャパシタ容量のシミュレーション |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | GaN MOS capacitance simulation considering deep traps |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | MOS / MOS |
| キーワード(3)（和/英） | デバイスシミュレーション / Device Simulation |
| キーワード(4)（和/英） | トラップ / trap |
| キーワード(5)（和/英） | 容量 / capacitance |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福田 浩一 / Koichi Fukuda / フクダ コウイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Inductrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浅井 栄大 / Hidehiro Asai / アサイ ヒデヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Inductrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 服部 淳一 / Junichi Hattori / ハットリ ジュンイチ |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Inductrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 清水 三聡 / Mitsuaki Shimizu / シミズ ミツアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Inductrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋詰 保 / Tamotsu Hashizume / ハシヅメ タモツ |
| 第5著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-11-09 15:40:00 |
| 発表時間 | 60分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2017-66 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.290 |
| ページ範囲 | pp.27-32 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-11-02 (SDM) |
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