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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-11-09 14:30 ［招待講演］SiCパワーMOSFETの特性測定とモデル化 ○佐藤高史・大石一輝・廣本正之（京大）・新谷道広（奈良先端大）  SDM2017-65 |
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| 抄録 | （和） | シリコンカーバイド(SiC)は大電力を扱うスイッチ素子の実現に好適な材料であり，今後より広く普及が進むものと考えられている．SiCパワーMOSFETのデバイスモデルは，回路シミュレーションを活用する効率的な設計を実現するために必須の要素技術である．なかでも，大電力を扱うことに伴って顕れる現象のモデル化が重要となる．本稿ではまず，表面電位に基づくSiCパワーMOSFETのデバイスモデルを提案する．次に，パワーMOSFETのモデルパラメータを求めるための測定について説明する．特に大電力動作時の自己発熱による影響のモデルへの取り込みと，大振幅のスイッチング動作を考慮した入力容量測定法について述べる． |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | DMOSFET / デバイスモデル / 回路シミュレーション / 短パルス測定 / スイッチング容量 / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 290, SDM2017-65, pp. 21-26, 2017年11月. | |
| 資料番号 | SDM2017-65 | |
| 発行日 | 2017-11-02 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2017-65 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2017-11-09 - 2017-11-10 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2017-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SiCパワーMOSFETの特性測定とモデル化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization and modeling of SiC power MOSFET |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | DMOSFET / |
| キーワード(2)（和/英） | デバイスモデル / |
| キーワード(3)（和/英） | 回路シミュレーション / |
| キーワード(4)（和/英） | 短パルス測定 / |
| キーワード(5)（和/英） | スイッチング容量 / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 高史 / Takashi Sato / サトウ タカシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大石 一輝 / Kazuki Oishi / オオイシ カズキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 廣本 正之 / Masayuki Hiromoto / ヒロモト マサユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 新谷 道広 / Michihiro Shintani / シンタニ ミチヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-11-09 14:30:00 |
| 発表時間 | 60分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2017-65 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.290 |
| ページ範囲 | pp.21-26 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-11-02 (SDM) |
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