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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-11-09 13:30 ［招待講演］SiC中の不純物拡散モデル ○植松真司（慶大）  SDM2017-64 |
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| 抄録 | （和） | パワーデバイスへの応用が広がっているSiC（炭化ケイ素）における点欠陥・拡散について紹介する。SiおよびGeにおける拡散の相違点に着目しながら、SiC中において点欠陥の振る舞いが不純物拡散をどのように支配しているかについて解説する。不純物の活性化も含めて、SiC中の拡散モデリングが今どこまで進んでいるのか、その現状について概説する。 |
| （英） | SiC is an attractive material for the application of high-power electronic devices. In this article, the current status of studies on impurity diffusion modeling in SiC, including on the dopant activation, is reviewed based on the diffusion mechanism governed by point defects, compared with the diffusion in Si and Ge. | |
| キーワード | （和） | 半導体プロセス / SiC / 不純物拡散 / 拡散モデリング / 点欠陥 / / / |
| （英） | Semiconductor Processes / SiC / Impurity Diffusion / Diffusion Modeling / Point Defects / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 290, SDM2017-64, pp. 15-20, 2017年11月. | |
| 資料番号 | SDM2017-64 | |
| 発行日 | 2017-11-02 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2017-64 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2017-11-09 - 2017-11-10 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2017-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SiC中の不純物拡散モデル |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Impurity Diffusion Modeling in SiC |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半導体プロセス / Semiconductor Processes |
| キーワード(2)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(3)（和/英） | 不純物拡散 / Impurity Diffusion |
| キーワード(4)（和/英） | 拡散モデリング / Diffusion Modeling |
| キーワード(5)（和/英） | 点欠陥 / Point Defects |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 植松 真司 / Masashi Uematsu / ウエマツ マサシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 慶應義塾大学 (略称： 慶大) Keio University (略称： Keio Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第2著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第4著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第5著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第6著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-11-09 13:30:00 |
| 発表時間 | 60分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2017-64 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.290 |
| ページ範囲 | pp.15-20 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-11-02 (SDM) |
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