講演抄録/キーワード |
講演名 |
2017-11-17 13:45
MIS-CELIV法による有機半導体薄膜の正孔移動度評価 ○片桐千帆(山形大/阪大)・中山健一(阪大/山形大) OME2017-28 エレソ技報アーカイブへのリンク:OME2017-28 |
抄録 |
(和) |
MIS-CELIV(injection-charge extraction by linearly increasing voltage in metal-insulator-semiconductor structures)法は、外部からの注入電荷を絶縁層界面に蓄積させ、その蓄積電荷の取出しに由来した過渡電流波形から電子もしくは正孔移動度を求める手法であり、有機半導体薄膜の解析が可能な新たな測定手法として期待されている。本研究では、MIS-CELIV法を用いてp型有機半導体材料の正孔移動度測定を行い、得られた移動度の妥当性や有機材料への適応性を検証することで、移動度測定法としてのMIS-CELIV法の有用性を示した。 |
(英) |
The MIS-CELIV method is expected as a novel technique for measuring electron and hole mobilities in thin organic films. The charge carrier mobility is estimated from current transients due to extraction of accumulated charges at the insulator/semiconductor interface by applying a large external forward bias. In this study, the hole mobility of a p-type organic semiconductors was estimated using the MIS-CLEIV method. Toward establishing this method as a measurement method for unipolar carrier mobility, we investigated reliability of the MIS-CELIV mobility and applicability to various kinds of material. |
キーワード |
(和) |
MIS-CELIV / 正孔移動度 / p型有機半導体 / / / / / |
(英) |
MIS-CELIV / Hole mobility / p-type organic semiconductors / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 313, OME2017-28, pp. 7-10, 2017年11月. |
資料番号 |
OME2017-28 |
発行日 |
2017-11-10 (OME) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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