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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-11-30 14:25 InGaN量子井戸における発光ピークのS字型温度依存性の詳細解析 ○池田優真・坂井繁太・大島一輝・山口敦史（金沢工大）・蟹谷裕也・冨谷茂隆（ソニー）  ED2017-51 CPM2017-94 LQE2017-64 |
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| 抄録 | （和） | LEDやレーザダイオードの発光層として用いられるInGaN量子井戸において、PLピークエネルギーのS字型温度依存性（S-Shape）の解析は組成揺らぎの評価手段の一つとして広く用いられている。しかしながら、一般的に用いられているフィッティング関数の導出においては大胆な近似が使われており、この解析を問題なく使える条件は限定的である。そこで本研究では、より汎用性のあるモデルを考案し、このモデルに基づきS-Shapeを計算で求め、実験結果との比較を行った。その結果、従来モデルよりも大幅に広い温度範囲で、理論モデルにより実験結果を再現することができた。 |
| （英） | Analysis of S-shaped temperature dependence of PL peak energy is widely used to evaluate the degree of compositional fluctuation in InGaN alloy materials used as active layers in LEDs and laser diodes. However, the fitting function commonly used in this analysis is derived on the basis of some bold approximation, and the analysis can be applied in only limited conditions (e.g. high temperature and small carrier density). In this work, we have established a new theoretical model which can be applied in wide ranges of temperature and carrier density. A measured S-shape behavior in an InGaN quantum-well structure has been analyzed by the theoretical model, and it is shown that the S-shaped behavior can be well fitted by our model in a wide temperature range, compared with the conventional model. | |
| キーワード | （和） | InGaN量子井戸 / 組成揺らぎ / S-Shape / / / / / |
| （英） | InGaN-QWｓ / compositional fluctuation / S-Shape / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 333, LQE2017-64, pp. 11-14, 2017年11月. | |
| 資料番号 | LQE2017-64 | |
| 発行日 | 2017-11-23 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2017-51 CPM2017-94 LQE2017-64 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE CPM ED |
| 開催期間 | 2017-11-30 - 2017-12-01 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Inst. tech. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2017-11-LQE-CPM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | InGaN量子井戸における発光ピークのS字型温度依存性の詳細解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Detailed analysis of S-shaped temperature dependence of photoluminescence peak energy in InGaN quantum wells |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaN量子井戸 / InGaN-QWｓ |
| キーワード(2)（和/英） | 組成揺らぎ / compositional fluctuation |
| キーワード(3)（和/英） | S-Shape / S-Shape |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池田 優真 / Yuma Ikeda / イケダ ユウマ |
| 第1著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： Kanazawa Inst. of Tehc.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂井 繁太 / Shigeta Sakai / サカイ シゲタ |
| 第2著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： Kanazawa Inst. of Tehc.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大島 一輝 / Itsuki Oshima / オオシマ イツキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： Kanazawa Inst. of Tehc.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 敦史 / Atsushi A. Yamaguchi / ヤマグチ アツシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： Kanazawa Inst. of Tehc.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 蟹谷 裕也 / Yuya Kanitani / カニタニ ユウヤ |
| 第5著者 所属（和/英） | ソニー株式会社 (略称： ソニー) Sony Corporation (略称： Sony) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 冨谷 茂隆 / Shigetaka Tomiya / トミヤ シゲタカ |
| 第6著者 所属（和/英） | ソニー株式会社 (略称： ソニー) Sony Corporation (略称： Sony) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-11-30 14:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2017-51, CPM2017-94, LQE2017-64 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.331(ED), no.332(CPM), no.333(LQE) |
| ページ範囲 | pp.11-14 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-11-23 (ED, CPM, LQE) |
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