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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-11-30 15:25 -c面GaN基板上のGaNのMOVPE成長における酸素低減の研究 ○河野 司・久志本真希・永松謙太郎・新田州吾・本田善央・天野 浩（名大）  ED2017-53 CPM2017-96 LQE2017-66 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2017-53 CPM2017-96 LQE2017-66 |
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| 抄録 | （和） | MOVPE成長による-c面GaN基板上のGaNは、＋c面GaN基板上のGaNに比べ、電子を補償する炭素の取り込み量が少なく、ドリフト層に関して、より低濃度な不純物濃度制御が可能となる。そのため、高耐圧デバイス実現の可能性がある。しかし、酸素の取り込み量が1018 cm-3以上と高く、空乏層が伸びず耐圧が低下する問題がある。そこで、本研究では、酸素濃度の低減のため、高温でのMOVPE成長に取り組んだ。その結果、PLから酸素起因の発光の低減が確認できた。 |
| （英） | GaN epitaxial layer grown on -c plane substrate by MOVPE has a smaller amount of carbon incorporation that compensates electrons than GaN on the + c plane substrate, making it possible to control lower impurity concentration in the drift layer of power device. Therefore, there is a possibility of realizing a high voltage device. However, there is a problem that the amount of oxygen incorporation is as high as 1018 cm-3 or more, therefore the depletion layer does not extend and the operating voltage becomes low. Therefore, in this research, we tried to grow at higher temperature to reduce oxygen concentration. As a result, reduction of luminescence caused by oxygen can be confirmed from PL measurement. | |
| キーワード | （和） | GaN / -c面 / PL / SIMS / 酸素濃度 / / / |
| （英） | GaN / -c-plane / PL / SIMS / Oxygen concentration / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 331, ED2017-53, pp. 19-22, 2017年11月. | |
| 資料番号 | ED2017-53 | |
| 発行日 | 2017-11-23 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2017-53 CPM2017-96 LQE2017-66 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2017-53 CPM2017-96 LQE2017-66 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE CPM ED |
| 開催期間 | 2017-11-30 - 2017-12-01 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Inst. tech. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2017-11-LQE-CPM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | -c面GaN基板上のGaNのMOVPE成長における酸素低減の研究 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on oxygen reduction in MOVPE growth of GaN on -c-plane GaN substrate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | -c面 / -c-plane |
| キーワード(3)（和/英） | PL / PL |
| キーワード(4)（和/英） | SIMS / SIMS |
| キーワード(5)（和/英） | 酸素濃度 / Oxygen concentration |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 河野 司 / Tsukasa Kono / コウノ ツカサ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 久志本 真希 / Maki Kushimoto / クシモト マキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永松 謙太郎 / Kentaro Nagamatsu / ナガマツ ケンタロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 新田 州吾 / Shugo Nitta / ニッタ シュウゴ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本田 善央 / Yoshio Honda / ホンダ ヨシオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 天野 浩 / Hiroshi Amano / アマノ ヒロシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-11-30 15:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2017-53, CPM2017-96, LQE2017-66 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.331(ED), no.332(CPM), no.333(LQE) |
| ページ範囲 | pp.19-22 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-11-23 (ED, CPM, LQE) |
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