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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-11-30 16:15 界面顕微光応答法によるn-GaN自立基板表面の波形モフォロジーの2次元評価 ○塩島謙次・橋爪孝典（福井大）・堀切文正・田中丈士（サイオクス）・三島友義（法政大）  ED2017-55 CPM2017-98 LQE2017-68 |
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| 抄録 | （和） | GaN表面のモフォロジーがドリフト層の電気的特性に与える影響を界面顕微光応答法により評価した。MOCVD法により厚さ12μmのn-GaN厚膜低キャリアドリフト層（ｎ＝1×1016 cm-3）を平坦、又は波形表面モフォロジーをもつ自立GaN基板に上に成長した。界面顕微光応答測定により、平坦な表面をもつ試料はキャリア濃度に関係なく、均一なショットキー界面をもつことが明らかになった。一方、波形表面モフォロジーをもつ試料では、低キャリア濃度において光電流像に同様なパターンが観察された。結晶成長中にCの取り込み量が傾斜角度の影響を受け、キャリア濃度が変化したと考えられる。これらの結果は界面顕微光応答法がウエハー全面に渡りキャリア濃度、補償の不均一性を評価することに適した手法であることを示している。 |
| （英） | We characterized the effect of the surface morphology on electrical properties of the n-GaN drift-layers by using scanning internal photoemission microscopy (SIPM). We grew 12-µm-thick low-carrier-concentration (around 1×1016 cm-3) n-GaN layers with both flat and wavy surface morphologies on free-standing GaN substrates by metal organic chemical vapor deposition. In the SIPM results, the samples with flat surfaces exhibited uniform photocurrent distribution independently of the carrier concentration. On the other hand, we obtained the same wavy pattern in the photocurrent maps as the surface morphology for the samples in low-carrier concentration. These results indicate that the amount of C incorporation during the growth was affected by off-angle of the GaN surface and the carrier compensation by C atoms was changed. We demonstrated that SIPM is a powerful tool to nondestructively visualized inhomogeneity of the carrier compensation over the wafer. | |
| キーワード | （和） | n-GaN / ショットキー接触 / 界面顕微光応答法 / 表面モフォロジー / / / / |
| （英） | n-GaN / Schottky contact / Scanning internal photoemission microscopy / surface morphology / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 331, ED2017-55, pp. 27-32, 2017年11月. | |
| 資料番号 | ED2017-55 | |
| 発行日 | 2017-11-23 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2017-55 CPM2017-98 LQE2017-68 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE CPM ED |
| 開催期間 | 2017-11-30 - 2017-12-01 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Inst. tech. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2017-11-LQE-CPM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 界面顕微光応答法によるn-GaN自立基板表面の波形モフォロジーの2次元評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Mapping of wavy surface morphology of n-GaN using scanning internal photoemission microscopy |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | n-GaN / n-GaN |
| キーワード(2)（和/英） | ショットキー接触 / Schottky contact |
| キーワード(3)（和/英） | 界面顕微光応答法 / Scanning internal photoemission microscopy |
| キーワード(4)（和/英） | 表面モフォロジー / surface morphology |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塩島 謙次 / Kenji Shiojima / シオジマ ケンジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋爪 孝典 / Takanori Hashizume / ハシズメ タカノリ |
| 第2著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 堀切 文正 / Masafumi Horikiri / ホリキリ マサフミ |
| 第3著者 所属（和/英） | サイオクス (略称： サイオクス) SCIOCS (略称： SCIOCS) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 丈士 / Takeshi Tanaka / タナカ タケシ |
| 第4著者 所属（和/英） | サイオクス (略称： サイオクス) SCIOCS (略称： SCIOCS) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三島 友義 / Tomoyoshi Mishima / ミシマ トモヨシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 法政大学 (略称： 法政大) Hosei University (略称： Hosei Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-11-30 16:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2017-55, CPM2017-98, LQE2017-68 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.331(ED), no.332(CPM), no.333(LQE) |
| ページ範囲 | pp.27-32 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-11-23 (ED, CPM, LQE) |
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