講演抄録/キーワード |
講演名 |
2017-12-01 10:05
Eu添加GaNを発光層にした狭帯域赤色垂直微小共振器LEDの実現 ○舘林 潤・稲葉智宏・塩見圭史・藤原康文(阪大) ED2017-58 CPM2017-101 LQE2017-71 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2017-58 CPM2017-101 LQE2017-71 |
抄録 |
(和) |
我々はEu添加GaN (GaN:Eu)を発光層とした狭帯域赤色発光ダイオード(LED)の実用化に向けて、光出力の増大を目指した研究を行っている。本研究では、フォトン場の制御によるEu発光強度増大を目的として、導電性分布ブラッグ反射鏡(DBR)を用いたGaN:Eu垂直微小共振器LEDを作製した。本LEDでは、微小光共振器構造を有さないLEDと比較して、Eu発光遷移確率が1.06倍、Eu発光強度が4.6倍となることを明らかにした。 |
(英) |
It has been an important issue to increase the light output power of Eu-doped GaN (GaN: Eu) red LEDs for their practical use. In this presentation, we demonstrate the realization of red vertical microcavity LEDs composed of conductive distributed Bragg reflector (DBR) with Eu-doped GaN as an active layer and observed a 5-fold increase in light output power of GaN: Eu red LED. |
キーワード |
(和) |
Eu添加GaN / 分布ブラッグ反射鏡 / OMVPE / 垂直微小共振器 / 発光ダイオード / / / |
(英) |
Eu-doped GaN / distributed Bragg reflectors / OMVPE / resonant cavity / LEDs / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 333, LQE2017-71, pp. 45-48, 2017年11月. |
資料番号 |
LQE2017-71 |
発行日 |
2017-11-23 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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