講演抄録/キーワード |
講演名 |
2017-12-01 13:45
XPSおよびESRを用いたAlGaN上ALD-Al2O3膜の化学状態に対する膜厚および熱処理効果の評価 ○久保俊晴・三好実人・江川孝志(名工大) ED2017-64 CPM2017-107 LQE2017-77 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2017-64 CPM2017-107 LQE2017-77 |
抄録 |
(和) |
GaN系パワーデバイスのMIS構造に用いる絶縁膜として, ALDで成膜したAl2O3が多く用いられており, 成膜後熱処理(PDA)も行われている. しかしながら, Al2O3の膜厚やPDA温度がAl2O3膜の化学状態へ及ぼす効果は十分に明らかにされていない. 本研究では, XPSおよびESRを用いて, Al2O3の化学状態に対する膜厚およびPDA温度の効果を調べた. その結果, Al2O3中の不純物はPDA温度600℃で大きく低減すること, 700℃以上のPDAでAl2O3の結晶化が進む際は試料内の不対電子数も増大することが分かった. これらの結果より, デバイスの閾値シフトとリーク電流の両方を低減するための絶縁膜として, 700℃以上の温度で処理したAl2O3層とリーク電流を防ぐための層の2層構造が有効であると考えられる. |
(英) |
As the insulator for MIS structures in GaN-based power devices, Al2O3 fabricated by ALD has often been used. The post-deposition annealing (PDA) has also been performed. However, the effects of the layer thickness and the PDA temperature on chemical characteristics of Al2O3 layers have not been clarified enough. In this study, the chemical characteristics of Al2O3 layers were studied by XPS and ESR. As the results, it was found that impurities in Al2O3 decrease remarkably by PDA at 600℃, and the amount of unpaired electrons in Al2O3 increase with the crystallization by PDA above 700℃. In order to reduce both the threshold voltage shift and the leakage current of GaN-based devises, two-layer structures that consist of an Al2O3 layer with PDA above 700℃ and a current blocking layer seem to be effective. |
キーワード |
(和) |
GaN / MIS / ALD / Al2O3 / XPS / ESR / / |
(英) |
GaN / MIS / ALD / Al2O3 / XPS / ESR / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 331, ED2017-64, pp. 73-76, 2017年11月. |
資料番号 |
ED2017-64 |
発行日 |
2017-11-23 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ED2017-64 CPM2017-107 LQE2017-77 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2017-64 CPM2017-107 LQE2017-77 |
研究会情報 |
研究会 |
LQE CPM ED |
開催期間 |
2017-11-30 - 2017-12-01 |
開催地(和) |
名古屋工業大学 |
開催地(英) |
Nagoya Inst. tech. |
テーマ(和) |
窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
テーマ(英) |
Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
ED |
会議コード |
2017-11-LQE-CPM-ED |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
XPSおよびESRを用いたAlGaN上ALD-Al2O3膜の化学状態に対する膜厚および熱処理効果の評価 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Estimation of effects of layer thickness and annealing on chemical states of ALD-Al2O3 layers on AlGaN by using XPS and ESR |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
GaN / GaN |
キーワード(2)(和/英) |
MIS / MIS |
キーワード(3)(和/英) |
ALD / ALD |
キーワード(4)(和/英) |
Al2O3 / Al2O3 |
キーワード(5)(和/英) |
XPS / XPS |
キーワード(6)(和/英) |
ESR / ESR |
キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
久保 俊晴 / Toshiharu Kubo / クボ トシハル |
第1著者 所属(和/英) |
名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. of Tech.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
三好 実人 / Makoto Miyoshi / ミヨシ マコト |
第2著者 所属(和/英) |
名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. of Tech.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
江川 孝志 / Takashi Egawa / エガワ タカシ |
第3著者 所属(和/英) |
名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. of Tech.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2017-12-01 13:45:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
ED |
資料番号 |
ED2017-64, CPM2017-107, LQE2017-77 |
巻番号(vol) |
vol.117 |
号番号(no) |
no.331(ED), no.332(CPM), no.333(LQE) |
ページ範囲 |
pp.73-76 |
ページ数 |
4 |
発行日 |
2017-11-23 (ED, CPM, LQE) |
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