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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-12-01 13:20 NO2ホールドーピング水素終端ダイヤモンドMOS FETのDCストレス評価 ○石松裕真・舟木浩祐・桝谷聡士・宮崎恭輔・大島孝仁・嘉数 誠・大石敏之（佐賀大）  ED2017-63 CPM2017-106 LQE2017-76 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2017-63 CPM2017-106 LQE2017-76 |
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| 抄録 | （和） | ダイヤモンドは高周波かつ高出力デバイスへの応用が期待されており，これまでに水素終端やNO2 ホールドーピングにより高周波や高出力動作が報告されている．さらにAl2O3保護膜を適用することで，真空中で約2時間の動作安定性が得られている．しかし，信頼性試験やそのメカニズムに関してはこれまであまり検討されていない．今回，NO2ホールドーピングとAl2O3膜堆積を適用した構造で，空気中で14.3時間の安定動作を得た．さらに，ストレス試験前後の電気的特性を比較することで劣化メカニズムを解析した．解析結果からゲート端に電界が集中しAl2O3膜とAl2O3/ダイヤモンド界面が劣化し，ゲート絶縁膜のリーク電流増加とドレイン電流低下が発生することが分かった． |
| （英） | Diamond is expected to be applied to high frequency and high power devices, so far high frequency and high power operation has been reported by hydrogen termination and NO2 hole doping. Furthermore, by applying the Al2O3 protective film, operation stability in vacuum of about 2 hours is obtained. But, reliability tests and mechanisms have not been studied so far. In this study, we observed stable operation in air for 14.3 hours with NO2 hole doping and Al2O3 protective film deposition. Furthermore, the degradation mechanism was analyzed by comparing the electrical characteristics before and after the stress test. From the analysis results, it was found that the electric field concentrates at the gate edge, the interface between the Al2O3 film itself, the interface between the diamond surface and the Al2O3 film degraded, and an increase in the leakage current through the gate insulating film and a decrease in the drain current occur. | |
| キーワード | （和） | ダイヤモンドMOS FET / 高周波デバイス / 高出力デバイス / DCストレス / 電気的特性 / / / |
| （英） | Diamond MOS FET / High frequency device / High power device / Direct current stress / Electrical properties / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 331, ED2017-63, pp. 69-72, 2017年11月. | |
| 資料番号 | ED2017-63 | |
| 発行日 | 2017-11-23 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2017-63 CPM2017-106 LQE2017-76 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2017-63 CPM2017-106 LQE2017-76 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE CPM ED |
| 開催期間 | 2017-11-30 - 2017-12-01 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Inst. tech. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2017-11-LQE-CPM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | NO2ホールドーピング水素終端ダイヤモンドMOS FETのDCストレス評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on degradation of NO2 adsorbed H-terminated diamond MOS FETs by constant voltage stress |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ダイヤモンドMOS FET / Diamond MOS FET |
| キーワード(2)（和/英） | 高周波デバイス / High frequency device |
| キーワード(3)（和/英） | 高出力デバイス / High power device |
| キーワード(4)（和/英） | DCストレス / Direct current stress |
| キーワード(5)（和/英） | 電気的特性 / Electrical properties |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石松 裕真 / Yuma Ishimatsu / イシマツ ユウマ |
| 第1著者 所属（和/英） | 佐賀大学 (略称： 佐賀大) Saga University (略称： Saga Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 舟木 浩祐 / Kosuke Funaki / フナキ コウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 佐賀大学 (略称： 佐賀大) Saga University (略称： Saga Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 桝谷 聡士 / Satoshi Masuya / マスヤ サトシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 佐賀大学 (略称： 佐賀大) Saga University (略称： Saga Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮崎 恭輔 / Kyosuke Miyazaki / ミヤザキ キョウスケ |
| 第4著者 所属（和/英） | 佐賀大学 (略称： 佐賀大) Saga University (略称： Saga Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大島 孝仁 / Takayoshi Oshima / オオシマ タカヨシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 佐賀大学 (略称： 佐賀大) Saga University (略称： Saga Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 嘉数 誠 / Makoto Kasu / カスウ マコト |
| 第6著者 所属（和/英） | 佐賀大学 (略称： 佐賀大) Saga University (略称： Saga Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大石 敏之 / Toshiyuki Oishi / オオイシ トシユキ |
| 第7著者 所属（和/英） | 佐賀大学 (略称： 佐賀大) Saga University (略称： Saga Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-12-01 13:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2017-63, CPM2017-106, LQE2017-76 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.331(ED), no.332(CPM), no.333(LQE) |
| ページ範囲 | pp.69-72 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-11-23 (ED, CPM, LQE) |
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